一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法 作者：黃麗華 時(shí)間：2009-08-31 來(lái)源：電子產(chǎn)品世界 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 圖3. 不同柵極偏壓下測得的噪聲數據本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/97638.htm 為了分析柵氧電容相關(guān)性或進(jìn)行其他進(jìn)一步的研究，我們還測量了不同柵氧厚度下的1/f噪聲。圖4給出了不同柵氧厚度下的測試結果。 圖4. 不同柵氧厚度下pMOS器件的1/f噪聲測量數據 然后，我們就可以估算出1/f噪聲參數，建立不同的模擬模型。圖5給出了在一個(gè)p溝道MOSFET的強反型區中測得的漏極電流噪聲功率。 上一頁(yè) 1 2 3 4 5 下一頁(yè)
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