ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)

　　意法半導體和法國電子信息技術(shù)實(shí)驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長(cháng)，以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議。

　　Nano2012是由意法半導體領(lǐng)導的國家/私營(yíng)戰略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區和本地政府的財政支持，旨在于創(chuàng )建世界最先進(jìn)的研發(fā)集群，開(kāi)發(fā)新一代納電子級別的半導體技術(shù)，用于制造結構尺寸大約為幾十納米(1納米等于十億分之一米)的芯片。

　　通過(guò)為歐洲企業(yè)提供從32nm一直到22nm的最先進(jìn)的具有競爭力的CMOS技術(shù)，Nano2012合作項目以及其它的世界領(lǐng)先的合作項目(如CATRENE)將對歐洲電子工業(yè)的持續增長(cháng)做出重大貢獻。Nano2012項目始于2008年1月1日，預定到2012年12月31日告一段落，法國政府機構為這個(gè)五年期項目提供部分資金。這個(gè)項目還有其它的參與者，包括INRIA(法國國家計算機科學(xué)與控制研究院)、CNRS(國家科研中心)、大學(xué)和多家中小企業(yè)。

　　意法半導體和CEA-LETI有很長(cháng)的研發(fā)合作歷史。1992年，雙方首次合作建立Crolles研發(fā)中心。作為領(lǐng)先的研究實(shí)驗室，CEA-LETI是學(xué)術(shù)研究與以市場(chǎng)為導向的意法半導體工業(yè)研發(fā)之間長(cháng)期的重要交流橋梁。2007年7月，意法半導體加入以IBM公司在紐約East Fishkill和 Albany的兩個(gè)研發(fā)中心為核心的半導體合作開(kāi)發(fā)聯(lián)盟，這兩個(gè)中心開(kāi)發(fā)32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同時(shí)IBM加盟意法半導體的Crolles研發(fā)中心，開(kāi)發(fā)增值專(zhuān)用CMOS衍生技術(shù)。此外，在CMOS技術(shù)所需的材料和制程開(kāi)發(fā)方面，CEA-LETI和IBM具有強大的實(shí)力和互補性的專(zhuān)業(yè)知識，雙方在CEA-LETI的格勒諾布爾(法國)分公司、IBM的 East Fishkill工廠(chǎng)(紐約)、意法半導體的 Crolles分公司(法國)以及Albany NanoTech研究中心(紐約)合作開(kāi)發(fā) 22nm以及22nm以下的先進(jìn)制程。

　　自Nano2012項目于2008年1月啟動(dòng)以來(lái)，意法半導體和IBM交換Crolles和East Fishkill兩地的研究人員，并在多個(gè)項目上與CEA-LETI的研究人員開(kāi)展合作，包括32nm和28 nm CMOS核心制程和無(wú)線(xiàn)通信用45nm RF(射頻)衍生技術(shù)，和汽車(chē)電子與智能卡用65nm非易失性存儲器衍生技術(shù)。這些技術(shù)可降低現有通信設備、消費電子、計算機和汽車(chē)電子的功耗，延長(cháng)電池使用時(shí)間，提高性能，為終端用戶(hù)提供更多功能和實(shí)用性。

　　Nano2012項目的工作重點(diǎn)是為低功耗的專(zhuān)用CMOS衍生技術(shù)開(kāi)發(fā)技術(shù)平臺。一個(gè)技術(shù)平臺包括把數十億支晶體管集成到一顆芯片內所采用的制程，以及單元庫和利用這個(gè)制程高效設計尖端電路的設計方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的世界一流的研發(fā)團隊，意法半導體及合作伙伴已位居這個(gè)領(lǐng)域的世界前列，Nano2012的重要目標之一是擴大歐洲在此一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　增值專(zhuān)用衍生技術(shù)是標準CMOS技術(shù)的重要差異化技術(shù)，使位于Grenoble-Isere的研發(fā)集群在這個(gè)領(lǐng)域保持領(lǐng)先水平是Nano2012項目的另一重要目標。