DRAM替代品現身 軟性憶阻器開(kāi)啟內存科技新大門(mén)

　　據港臺媒體報道，美國國家標準和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開(kāi)發(fā)研究，希望能為內存科技打開(kāi)新的大門(mén)。這項技術(shù)雖然相當創(chuàng )新，但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。

　　根據《CENT》報導，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIST 研究團隊表示，這項新開(kāi)發(fā)的憶阻器能在不到 10 伏特的電流下運作，即使電力被切斷也可維持記憶能力，還能在伸縮逾 4000次的情況下，仍能有效運作。

　　Nist 研究員 Nadine Gergel-Hackett 在一份聲明中指出：“我們希望能在電子產(chǎn)品被廣泛運用的當下，創(chuàng )造一種軟性且靈活的內存組件，進(jìn)一步推動(dòng)軟性電子產(chǎn)品的發(fā)展和計量學(xué)”。

　　現在，NIST 的研究小組用一種相當便宜的技術(shù)就能制造出憶阻器，他們透過(guò)二氧化鈦在旋轉時(shí)“溶膠凝膠法”的液態(tài)形式，把它擺放在透明的薄片上，然后讓聚合物在室溫下變干。研究人員在一份報告中指出，這樣制造出來(lái)的憶組體能保持非揮發(fā)性長(cháng)達 14 天。

　　Nadine Gergel-Hackett 更指出：“由于憶阻器能夠從液體中被制出，未來(lái)具有很大的發(fā)展潛力，說(shuō)不定未來(lái)憶阻體的制造過(guò)程能變得簡(jiǎn)單又便宜，就像我們目前把它印在透明的幻燈片上的做法一樣。”

　　有關(guān)憶阻器的假設其實(shí)早在 70 年代就已經(jīng)被學(xué)者提出，但一直到 2008 年才由惠普的研究人員真正證明它的存在。由于憶阻體在沒(méi)有電流通過(guò)下，還能記憶先前通過(guò)的電量，民眾未來(lái)就不必擔心計算機因為重新開(kāi)機而喪失數據。這項技術(shù)也進(jìn)一步提升芯片性能，更能讓芯片體積變得更加輕巧，甚至取代現今所使用的動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)。

　　NIST 也強調，憶阻器能夠為芯片帶來(lái)更多發(fā)展空間，不僅適用各項科技發(fā)領(lǐng)域，甚至可用于監測血糖和心跳的醫療用途等。