富士通推出兩款125°C規格的低功耗SiP存儲器

　　富士通微電子(上海)有限公司今日宣布推出兩款新型消費類(lèi)FCRAM(*1)存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開(kāi)始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲器適用于數字電視、數字視頻攝像機等消費類(lèi)電子產(chǎn)品的系統級封裝(SiP)。

　　如果SiP架構上的片上系統(SoC)整合了新型FCRAM芯片，當SiP工作速度提高導致工作溫度上升時(shí)，存儲器也不會(huì )對操作造成影響或限制，客戶(hù)將從中受益。此外，它還具有其它優(yōu)勢，如可降低產(chǎn)品設計開(kāi)發(fā)難度，節省電路板空間，并減少元器件數量。

　　目前，市場(chǎng)對消費類(lèi)數字產(chǎn)品的性能、速度和開(kāi)發(fā)成本的要求越來(lái)越高。為滿(mǎn)足這些需求，就會(huì )更多地使用SiP，要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲器芯片。使用SiP可以減少元器件數量并節省電路板空間，進(jìn)而能夠降低系統成本。使用SiP還能簡(jiǎn)化高速存儲器開(kāi)發(fā)或采取降噪措施等設計。

　　圖1: 存儲器SiP上的散熱設計方案比較：

　　顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性

　　如圖1所示，迄今為止，使用傳統的存儲器，SiP發(fā)揮受限，而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問(wèn)題。圖1(a)介紹的SiP架構上使用的高性能SoC功耗較高，產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105 °C。因為SoC的最高溫度額定為125 °C，所以操作能夠正常進(jìn)行，但使用傳統的存儲器僅可在最高為95 °C的溫度環(huán)境下運行，因此不能使用這一SiP架構。

　　要在SiP上使用傳統的存儲器，另外一種方法是添加類(lèi)似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示，這一方案可使SiP溫度降低到90°C，器件可以運行，但是增加了成本和電路板占用面積。因此，許多一直在研究SiP的客戶(hù)希望擴大存儲器的工作溫度范圍。

　　富士通微電子正是應對這一需求而開(kāi)發(fā)出了最高工作溫度為125 °C 的512 Mb和256 Mb消費類(lèi)FCRAM產(chǎn)品。如1(c)所示，使用額定為125°C的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運行良好，無(wú)需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 °C的傳統存儲器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問(wèn)題。

　　而且，即使在125°C的環(huán)境下運行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統DDR SDRAM存儲器兩倍的數據傳輸率，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上，與傳統的DDR2 SDRAM存儲器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費類(lèi)電子產(chǎn)品的存儲器的二氧化碳排放達50%。

　　富士通微電子將繼續為SiP開(kāi)發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品，從而為消費類(lèi)電子產(chǎn)品提供價(jià)值和成本最優(yōu)的解決方案。