英特爾：閃存替代產(chǎn)品PCM將全面量產(chǎn)

　　今年令人激動(dòng)的技術(shù)終于由intel得以宣布最新進(jìn)度，intel方面表示，用來(lái)替代當前NAND閃存技術(shù)的全新PCM(phase change memory，相位變換存儲)芯片即將進(jìn)入全面的量產(chǎn)化階段，并且intel公司目前已經(jīng)可以提供PCM閃存芯片的樣品。

　　Sandisk剛剛發(fā)布有別于當前標準NAND flash閃存芯片存儲密度的新技術(shù)，不過(guò)intel方面則在接下來(lái)沒(méi)有多久的時(shí)間內發(fā)布消息表明，PCM閃存芯片的樣品已經(jīng)開(kāi)始出貨給特定的合作客戶(hù)，首批出貨樣品采用90納米制程技術(shù)生產(chǎn)，產(chǎn)品代號Alverstone，采用2bit核心存儲單元的多級封裝技術(shù)制造，單體容量目前為256M bit。

　　PCM最新發(fā)布的測試樣品制作技術(shù)來(lái)自于剛剛加入intel和意法半導體(ST microelectronics)的NUmonyx，PCM閃存技術(shù)采用一種非常類(lèi)似于CD和DVD的數據存儲技術(shù)，intel早在2001年左右就已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行這項工作的開(kāi)發(fā)，早期代號為ovonics，intel采用具有硫屬化物玻璃特性的材料通過(guò)加熱方式針對材料特性在晶體和無(wú)規則穿透組織間進(jìn)行切換，這種切換動(dòng)作可以產(chǎn)生特殊電阻，并激發(fā)潛在的數據存儲技術(shù)，和閃存一樣，PCM技術(shù)也是數據存儲非易失性的，這也就意味著(zhù)在斷電之后數據存儲動(dòng)作仍然有效。

　　對于PCM技術(shù)而言，最重要的一項開(kāi)發(fā)特性就是材料的熱敏性，根據intel方面的測試，這種材質(zhì)變換技術(shù)可以達到10萬(wàn)次的讀寫(xiě)循環(huán)操作而不會(huì )出現任何問(wèn)題。

　　Nunonyx技術(shù)設計部總裁Ed Doller表示，PCM對于非易失性存儲技術(shù)來(lái)是，是發(fā)展經(jīng)過(guò)40年之后令人額外關(guān)注的新技術(shù)，對于今天的存儲技術(shù)存在重大意義，而intel和意法半導體則將這項實(shí)用性的新技術(shù)已經(jīng)帶到客戶(hù)手中。

　　Numonyx將會(huì )致力于供應全系列針對不同客戶(hù)和工業(yè)設備的PCM完整存儲解決方案，包括當前流行的移動(dòng)電話(huà)，MP3播放器，數碼相機，電腦以及其他高科技設備，同時(shí)intel表示這項新技術(shù)也會(huì )為該公司在盈利方面建立卓越表現機會(huì )。

　　intel是全球第一家制造flash閃存芯片的公司，而在1989年NOR閃存設備容量?jì)H為256KB，并在早期用來(lái)存儲操作系統，其大小尺寸要和一個(gè)鞋盒子相當，而上個(gè)月，intel公司則在切實(shí)考慮完全舍棄陳舊而無(wú)利潤的閃存業(yè)務(wù)。