65nm工藝：臺積電宣布工藝和制造展望

    臺灣的半導體廠(chǎng)臺積電在San Jose開(kāi)的會(huì )議上宣傳他們的65nm工藝，說(shuō)第一塊晶元會(huì )在今年11月份生產(chǎn)出來(lái)。 

    臺積電說(shuō)FPGA廠(chǎng)商Altera和其他一些客戶(hù)已經(jīng)提出了65nm的設計和原型，這些設計方案將在今年下半年提交給臺積電。他們稱(chēng)65nm工藝比之90nm用在在SOC上面可以提高兩倍的器件密度。 

    臺積電的第一代65nm技術(shù)叫Nexsys，將在11月份開(kāi)始生產(chǎn)，它對低功耗進(jìn)行了優(yōu)化，在2006年將有另一個(gè)高速的技術(shù)，到2006年年底將出現一般的65nm工藝。2007年還將推出一個(gè)SOI版本和一個(gè)超高速版本。據說(shuō)Nexsys比90nm工藝提高50%速度，降低20%功耗。65nm工藝將包含strained silicon和nickel silicide，并且是臺積電的第三代low-k工藝，第四代銅互連工藝。而且可能是臺積電第一代使用immersion lithography的工藝。 

    另外有消息說(shuō)臺積電正在進(jìn)行80nm的過(guò)渡工藝，這是對90nm的改進(jìn)，并且有普通的，高速的，低功耗的等版本。之前臺積電也有對130nm的改進(jìn)，即110nm工藝。還有關(guān)于臺積電45nm工藝的消息，說(shuō)在2008年會(huì )出現這樣的工藝。45nm工藝將使用銅互連，ultra low-k和immersion lithography。發(fā)言人認為high-k技術(shù)在45nm工藝上還不能使用。 

    臺積電說(shuō)他們在2004年的成績(jì)是全球第二大半導體廠(chǎng)商，落后于Intel，不過(guò)領(lǐng)先于三星。臺積電的消息真多，他們在開(kāi)一個(gè)會(huì )議。從這些消息可以看出工藝的大致發(fā)展路線(xiàn)圖。