臺積電7納米SRAM打贏(yíng)三星 要準備5nm制程

　　臺積電與英特爾、三星的先進(jìn)制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導體三雄間的競逐場(chǎng)，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，看似搶先臺積電與三星，不過(guò)，臺積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預告5納米也要來(lái)了!

　　臺積電于3日舉辦第十五屆供應鏈管理論壇，臺積電總經(jīng)理暨共同執行長(cháng)劉德音表示，庫存調整已近尾聲，2016有望恢復成長(cháng)，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長(cháng)張忠謀的說(shuō)法一致，劉德音對臺積電先進(jìn)制程進(jìn)度也透露更多的訊息。

　　在16納米制程，臺積電先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC制程，主打低階智慧手機與物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，劉德音昨3日指出，目前已設計定案(tape-out)的有27個(gè)，估計2016年達到100個(gè)，16納米從原本高階市場(chǎng)主力，進(jìn)一步拓展到中低階市場(chǎng)，劉德音預估16納米市佔的擴展，將成為明年營(yíng)收優(yōu)于去年的重要動(dòng)能。

　　對于三星于11月中宣布已運用10納米FinFET生產(chǎn)出SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，劉德音透露，臺積電已經(jīng)成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，10納米將在2016年初試產(chǎn)、7納米則有望于2017年第一季試產(chǎn)，與今年9月臺積電技術(shù)長(cháng)孫元成，參與美國圣塔克拉拉舉行的創(chuàng )新平臺論壇所言進(jìn)度相同。

　　據孫元成當時(shí)說(shuō)法，10納米在2016年底或2017年初將進(jìn)入量產(chǎn)階段，若依此轉進(jìn)進(jìn)度，10納米階段臺積將有望超車(chē)英特爾，英特爾執行長(cháng)BrianKrzanich在今年第二季法說(shuō)會(huì )上坦承，下世代(10納米)制程，大約到2017年下半才會(huì )推出。三星則在今年6月正式將10納米FinFET制程納入開(kāi)發(fā)路圖(Roadmap)，估計10納米在2016年底、2017年初全面投產(chǎn)，與臺積電時(shí)間差不多。

　　值得關(guān)注的是，劉德音在昨3日的論壇向供應鏈伙伴預告，該開(kāi)始準備5納米了!雖未對相關(guān)時(shí)程多做說(shuō)明，但也令外界相當期待，然而在10納米以下制程微縮已經(jīng)來(lái)到光學(xué)微影解析的極限，臺積電年初透露在10納米制程有部分光罩將採用極紫外光(ExtremeUltraviolet，EUV)微影技術(shù)進(jìn)行曝光，大摩3月份發(fā)表的報告也指出，EUV將是臺積電能否在10納米以下制程超車(chē)的關(guān)鍵。