美光新型存儲器要替代NOR快閃存儲器

　　是時(shí)候該跟平凡無(wú)奇的NOR快閃存儲器說(shuō)再見(jiàn)了?美光科技(Micron)最近發(fā)表最新XTRMFlash系列產(chǎn)品，號稱(chēng)速度可達到3.2Gb/s，而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲器接腳相容。

　　美光嵌入式業(yè)務(wù)部門(mén)NOR快閃存儲器產(chǎn)品總監Richard De Caro表示：“并列式快閃存儲器的時(shí)代已經(jīng)結束了，美光新推出的XTRMFlash將可在接下來(lái)取代目前市面上的并列式與串列式存儲器──也許除了一些 低密度應用。”美光將為新產(chǎn)品推出容量從128Mb~2Gb的產(chǎn)品，目前第一波512Mb的產(chǎn)品已可提供樣品。

　　美光已經(jīng)取得了包括飛思卡 爾半導體(Freescale)在內數家大型晶片供應商的背書(shū);XTRMFlash新產(chǎn)品的問(wèn)世也正與研究機構Databeans最新預測相符──該機構 預期，車(chē)用半導體營(yíng)收規模將由今年的285億美元擴展至2020年的400億美元，其中有大部分應用是取決于NOR快閃存儲器，包括GPS、衛星無(wú)線(xiàn)電、 車(chē)輛對車(chē)輛通訊以及車(chē)用資通訊娛樂(lè )系統。

　　根據De Caro的說(shuō)法，XTRMFlash的性能超越并列式、串列式以及Quad-SPI等類(lèi)NOR快閃存儲器，其接腳數比目前的并列式NOR快閃存儲器減少 75%;此外該技術(shù)的隨機存取時(shí)間最快83奈秒(nanoseconds)、循序位元組讀取(sequential byte read)最快2.5奈秒，傳輸速度400MB/s (高于并列與串列快閃存儲器)。

　　XTRMFlash也能與目前串列式快閃存儲器采用 的Quad SPI接腳相容，只需小幅改變電路板設計就能達到上述的性能規格。美光表示最近已經(jīng)在一些熱門(mén)的汽車(chē)、工業(yè)與消費性領(lǐng)域“永不關(guān)機”應用，測試其 XTRMFlash存儲器，能為人機介面、圖形式使用者介面(GUI)、儀器儀表、車(chē)用資通訊系統與先進(jìn)駕駛人輔助系統(ADAS)帶來(lái)及時(shí)性的成功。