Intel撐腰、展訊芯片將采14納米FinFET

　　聯(lián)發(fā)科、臺積電小心了!中國手機晶片廠(chǎng)展訊(Spreadtrum)獲得英特爾(Intel)加持后如虎添翼，高層放話(huà)明年發(fā)布的行動(dòng)晶片將找英特爾代工，采用14奈米FinFET制程。

　　EETimes 27日報導，展訊執行長(cháng)李力游(Leo Li)接受EETimes專(zhuān)訪(fǎng)透露，展訊2016年推出的高低階行動(dòng)晶片都計畫(huà)采用英特爾的14奈米FinFET制程。展訊的行動(dòng)晶片原本由臺積電代工。

　　不僅如此，原本外界猜測，展訊可能會(huì )因英特爾入股，放棄ARM架構，投向英特爾懷抱。然而李力游堅稱(chēng)，除非英特爾技術(shù)具有競爭力，不然展訊沒(méi)有義務(wù)改用英特爾架構晶片，英特爾不能強迫他們。雙方協(xié)議沒(méi)有載明，展訊未來(lái)的行動(dòng)晶片須放棄ARM架構，改采英特爾技術(shù)，暗示展訊仍會(huì )使用ARM架構晶片，與聯(lián)發(fā)科競 爭。

　　李力游強調，展訊對英特爾技術(shù)仍有興趣，將使用英特爾行動(dòng)晶片SoPHIA測試客戶(hù)反應，要是SoPHIA評價(jià)不錯，他們會(huì )考慮使 用。EETimes指出，展訊推說(shuō)需測試客戶(hù)反應，感覺(jué)似乎無(wú)意替英特爾晶片大力背書(shū)。今年底展訊將發(fā)布8核心的系統單晶片(SoC)，會(huì )繼續采用ARM 架構，并采用臺積電的16奈米制程。

　　去年秋天英特爾砸下15億美元入股清華紫光集團(Tsinghua Unigroup)，取得旗下展訊和銳迪科(RDA Microelectronics)的20%股權。

　　若 展訊真的找英特爾代工生產(chǎn)，未來(lái)還可能會(huì )采10奈米制程。俄羅斯科技網(wǎng)站Mustapekka.fi獨家拿到的英特爾(Intel)2013年-2016 年計畫(huà)時(shí)程，英特爾打算在明年第3季發(fā)表采用10奈米制程技術(shù)的“Cannonlake”處理器，而14奈米的Skylake架構系列處理器則會(huì )如期在今 年第4季問(wèn)世。

　　韓聯(lián)社2月中報導，三星表示自家的Exynos 7處理器將率先采用14奈米FinFET制程。三星新機皇Galaxy S6采用Exynos 7八核心處理器。與目前市場(chǎng)主流的20奈米相比，三星14奈米的三維設計能耗減少35%，但效能卻加快20%。

　　霸榮香港分部記者Shuli Ren去年報導，英特爾入股目的或許并非想要尋求產(chǎn)能或擴充專(zhuān)利，而是為了避免面臨大陸的反壟斷調查。德意志銀行分析師Jessica Chang去年9月23日研究報指出，高通(Qualcomm)、展訊對大陸行動(dòng)晶片市場(chǎng)的競爭變得愈來(lái)愈積極，聯(lián)發(fā)科面臨的壓力與日俱增。該證券并指出，高通對中國大陸的業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)已經(jīng)變得更有經(jīng)驗，同時(shí)也花費更多力氣滿(mǎn)足大陸對LTE的需求，本次更搶在聯(lián)發(fā)科之前推出解決方案。