臺積電預計2017年量產(chǎn)10nm　追上Intel

　　晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)透露該公司將在 2017年開(kāi)始量產(chǎn) 10奈米制程，屆時(shí)將能與英特爾(Intel)并駕齊驅;“我們的10奈米制程性能表現，包括速度、功率與密度，將會(huì )與我們認為英特爾為其10奈米技術(shù)所 定義的規格相當;”臺積電企業(yè)通訊部門(mén)總監Elizabeth Sun表示：“憑藉技術(shù)實(shí)力，我們認為能在10奈米節點(diǎn)拉近差距。”

　　而臺積電首度 表示，今年預期將會(huì )有半導體產(chǎn)業(yè)界最大規模的資本支出，其目標是鞏固其晶圓代工市場(chǎng)領(lǐng)導地位，以對抗英特爾、三星(Samsung)與Global Foundries等競爭者。臺積電將 2015年資本支出預算提高至115億美元至120億美元，較 2014年成長(cháng)11.5~20%，主要原因是對市場(chǎng)的先進(jìn)制程需求深具信心。英特爾的 2014年度資本支出為101億美元，今年則預期維持在100億美元左右，增減5億美元。

　　臺積電的Sun表示，隨著(zhù)摩爾定律 (Moore's Law)逐漸“失能”，產(chǎn)業(yè)界也剩下越來(lái)越少廠(chǎng)商能負擔先進(jìn)制程所需的龐大投資：“當你繼續微縮晶片，成本就不斷上升，越來(lái)越少人能夠真正負擔得起。”她 透露，臺積電將在該公司的中科廠(chǎng)(編按：12寸晶圓Fab 15)進(jìn)行10奈米量產(chǎn)，該廠(chǎng)隨后也將量產(chǎn)更先進(jìn)的制程節點(diǎn)。

　　臺積電將于中科晶圓廠(chǎng)(Fab 15)量產(chǎn)10奈米制程

　　根據業(yè)界消息，臺積電的中科晶圓廠(chǎng)在 2018年底將達到9萬(wàn)片晶圓月產(chǎn)能，采用10奈米節點(diǎn)或更先進(jìn)制程技術(shù);該公司在本月稍早也表示將投資5,000億臺幣(159億美元)擴展中科廠(chǎng)產(chǎn) 能。在1月份的財報發(fā)布會(huì )上，臺積電共同執行長(cháng)劉德音表示，臺積電2015年營(yíng)收成長(cháng)率可望比產(chǎn)業(yè)估計12%的平均成長(cháng)率高出“數個(gè)百分點(diǎn)”。

　　臺積電 2015年第一季營(yíng)收預期在新臺幣2,210億~2,240億臺幣之間，較 2014年同期成長(cháng)約50%。臺積電中科晶圓廠(chǎng) 2014年產(chǎn)值為2,000億臺幣，貢獻臺積電年度總產(chǎn)值約28%的比例。而Sun也透露，臺積電的10奈米節點(diǎn)量產(chǎn)將采用浸潤式微影設備，至于更先進(jìn)制 程節點(diǎn)將采用何種微影工具則尚未公布。

　　“我們正在與ASML合作，目標是在未來(lái)某個(gè)時(shí)候如果超紫外光微影(EUV)準備就緒，我們就能將 該技術(shù)部分應用于10奈米制程節點(diǎn);”Sun解釋?zhuān)^的部分應用指的是指在少數關(guān)鍵電路層采用，而在10奈米以下制程節點(diǎn)使用EUV微影仍要看該技術(shù)是 否準備好量產(chǎn)：“相關(guān)工作仍在持續進(jìn)展。”