突破存儲器效能　HMCC發(fā)布第二代規范

　　混合記憶體立方聯(lián)盟(HMCC)宣布HMCC 2.0規范已定案并公開(kāi)。透過(guò)將資料傳輸率從15Gb/秒提高到30Gb/秒，同時(shí)將相關(guān)通道模型從短距離(SR)遷移到非常短距離(VSR)，HMC第二代規范為記憶體性能建立了新的門(mén)檻，為該創(chuàng )新記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)過(guò)程的一個(gè)重要里程碑，并預示其后續應用。

　　Open-Silicon矽智財(IP)和工程運營(yíng)副總裁Hans Boumeester表示，HMCC 2.0為設計師提供了成熟的解決方案，以解決記憶體瓶頸并提供具有突破性記憶體性能的新一代系統。此次新標準得到批準，意味著(zhù)設計師將能獲得符合標準的IP，可立刻整合到晶片與系統中，進(jìn)而滿(mǎn)足下一代資料中心和高性能計算應用不斷增長(cháng)的頻寬需求。

　　據了解，HMC技術(shù)方案可突破傳統記憶體技術(shù)的限制，在提供超高系統性能的同時(shí)也減少每位元傳輸耗電量。與第三代雙倍資料率(DDR3)技術(shù)相比，HMC提供的頻寬可達十五倍，而耗電量卻降低70%以上，體積縮小90%以上。其抽象記憶體使設計師減少為實(shí)現基本功能而選擇多個(gè)記憶體參數所需時(shí)間，同時(shí)還能管理糾錯、恢復、刷新和因記憶體過(guò)程變化而惡化的其他參數。

　　市場(chǎng)研究機構Objective Analysis主管Jim Handy強調，HMCC 2.0規范的發(fā)布，顯示該聯(lián)盟對發(fā)展一系列高性能計算應用之規范的承諾。HMCC自成立以來(lái)已擁有一百五十位成員，發(fā)展相當迅速。

　　HMCC致力于開(kāi)發(fā)和建立混合記憶體立方技術(shù)的行業(yè)標準介面規范，由Altera、美光(Micron)、Open-Silicon、三星電子(Samsung Electronics)和賽靈思(Xilinx)合作開(kāi)發(fā)，其他聯(lián)盟成員還包括安謀國際(ARM)、IBM、SK海力士(SK Hynix)。