探源蘋(píng)果內存控制IC問(wèn)題的真與假

　　iPhone 6上市后，市場(chǎng)一直供不應求，尤其128GB的iPhone 6 Plus更是最缺貨的一款。11月4日一則來(lái)自iPhone 6 Plus 128GB的最新消息， 或許讓果粉「退而求其次」，改買(mǎi)64GB甚至更低容量機種，在「擠牙膏」的效應下，恐造成全系列iPhone 6的新機供應更加吃緊。

　　AppleInsider10月23日曾報導，蘋(píng)果支援社群(Support Communities)論壇最近有多名用戶(hù)重復抱怨iPhone 6 Plus系統崩潰、或不斷重開(kāi)機的問(wèn)題，目前還不清楚故障的原因為何，有人已經(jīng)因此連換四支iPhone 6 Plus。

　　根據韓國媒體的分析，這些問(wèn)題主要發(fā)生在128GB版iPhone 6 Plus，可能跟三階儲存單元(Triple-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)TLC)NAND型快閃存儲器(NAND Flash)的控制IC有關(guān)。BusinessKorea 3日報導，TLC flash是一種固態(tài)的NAND Flash，每一個(gè)快閃媒介單元都能儲存3位元的資料，容量為單階儲存單元(Single-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)SLC)、多階儲存單元(Multi-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)MLC)的兩到三倍之多。另外，TLC flash的價(jià)格也較為便宜。不過(guò)，TLC讀取/寫(xiě)入資料的速度卻不如SLC或MLC。

　　坊間傳言，此次蘋(píng)果為了節省成本而在128GB iPhone 6 Plus與部份機種運用了TLC NAND Flash。在此之前，TLC NAND Flash都只用在部分iPad，而較為昂貴、但穩定度高的MLC NAND Flash則應用于大多數的iPhone。

　　部分業(yè)界人士認為，倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系統崩潰的主因，那么蘋(píng)果也許會(huì )召回已經(jīng)出售的所有產(chǎn)品。 至截稿前，蘋(píng)果尚未回應相關(guān)報導，也尚未宣布任何iPhone召回計劃。

　　那么NAND內存芯片控制IC到底是做什么用的呢?

　　據集微網(wǎng)所知，這顆內存控制IC是擔任電子裝置與NAND快閃存儲器之間的溝通橋梁，負責中介、控制的角色，能夠實(shí)現數據的順利存取。此外，它還能提升數據的存取速度、加強除錯能力，延長(cháng)NAND芯片的壽命。NAND內存芯片控制IC并非昂貴的零組件，成本甚至僅iPhone新機價(jià)格的千分之一。但如若少了它，你想拍下美美的照片存起來(lái)，或想下載影片至手機里，都將成為空談，它的重要性可想而知。

　　根據iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus采用的SK Hynix海力士的NAND Flash，按照蘋(píng)果封閉式NAND控制IC策略，蘋(píng)果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠(chǎng)提供，或由蘋(píng)果自行設計。由于此次可能因NAND控制IC出錯導致128GB容量的iPhone 6 Plus系統崩潰，蘋(píng)果可能會(huì )轉變NAND控制IC策略，改為外購，為臺灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉單可能。

　　目前為止，遇到問(wèn)題的用戶(hù)發(fā)現了幾個(gè)共通點(diǎn)，即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影響的機種、用戶(hù)安裝的應用程式數量超過(guò)700款，且系統未與使用者互動(dòng)便即崩潰。部份網(wǎng)友認為是硬件有瑕疵，因為蘋(píng)果最近發(fā)布的iOS 8.1系統更新并未解決這個(gè)問(wèn)題，其他人則把一切麻煩怪到軟件頭上。

　　這一問(wèn)題對于iPhone來(lái)說(shuō)屬于首次出現，因為之iPhone使用的是MLC NAND 閃存，遇到這些問(wèn)題的用戶(hù)只能將手機拿到Apple Store并更換新機。

　　最新來(lái)自蘋(píng)果內部的消息人士聲稱(chēng)，召回計劃完全是虛假的。蘋(píng)果官方支持論壇上關(guān)于崩潰的帖子只有159個(gè)回復，其中很多來(lái)自同一個(gè)人。這些用戶(hù)通常安裝了500或1000個(gè)應用，消息稱(chēng)蘋(píng)果已經(jīng)了解問(wèn)題，推測該問(wèn)題與閃存有關(guān)并不準確。

　　據iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus采用海力士H2JTDG8UD1BMS，集微網(wǎng)小編查到的規格表中并未明確指明其是TLC還是MLC，只歸類(lèi)為E2NAND 3.0，而在TECHINSIGHTS所查，海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory，目前能夠確定的消息是iPhone 6 plus采用的NAND存儲器是MLC而不是TLC。

　　無(wú)論此輪iPhone 6 Plus問(wèn)題是否與閃存控制IC有關(guān)，iPhone的每一個(gè)動(dòng)態(tài)都將牽動(dòng)無(wú)數果粉的心。