臺積電、創(chuàng )意攜手16納米制程報佳音

　　晶圓代工大廠(chǎng)臺積電耕耘16納米FinFET(16FF) 制程技術(shù)有突破!與臺積電合作緊密的IP供應商創(chuàng )意表示，DDR4 IP已采用臺積電16納米FinFET(16FF)制程技術(shù)，且通過(guò)晶片驗證，成為創(chuàng )意第一個(gè)采用臺積電16納米FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的IP供應商。

　　創(chuàng )意日前已在2014年臺積電北美技術(shù)研討會(huì )(TSMC North America Technology Symposium)上接橥16納米DDR4 IP的研發(fā)成果，并讓此技術(shù)首度亮相。

　　創(chuàng )意指出，16納米DDR4的PHY IP運作速度高達每秒3.2Gbps，比DDR3 IP高出50%，且同一速度下，功耗降低25%，展現臺積電16納米制程的優(yōu)勢。另外，在外部回路測試(external loopback)則達到3.5Gbps的高速，并且以2.7Gbps的高速成功讀寫(xiě)2.4Gbps規格的DDR4 DRAM。

　　再者，此IP和DDR4 DRAM連接時(shí)，在同一速度下，相較于同一規格采用28納米制程生產(chǎn)的DDR3 IP，可降低40%的核心功耗，此測試晶片是采用日月光的覆晶封裝(FCBGA)技術(shù)，以及南電的增層覆晶載板(multi-layer build up substrate)，未來(lái)可應用在各種高速網(wǎng)路架構與伺服器上。