英特爾三星14納米來(lái)勢洶洶 臺積電迎戰

　　全球半導體大廠(chǎng)臺積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級多重閘極3D架構的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)展開(kāi)激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準備投入量產(chǎn)，臺積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導體業(yè)者透露，面對競爭對手14納米進(jìn)逼，臺積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰，傳出內部針對16納米制程規劃3個(gè)版本，且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，近期已開(kāi)始說(shuō)服客戶(hù)導入。

　　三星系統LSI事業(yè)部已完成14納米FinFET設計、制程技術(shù)研發(fā)，正與應用處理器(AP)業(yè)者進(jìn)行測試，三星14納米制程除量產(chǎn)自主研發(fā)的行動(dòng)應用處理器Exynos，亦將強化與高通(Qualcomm)、蘋(píng)果(Apple)等業(yè)者合作，三星計劃藉由14納米FinFET制程世代，大舉重振系統芯片事業(yè)，未來(lái)三星在代工事業(yè)發(fā)展上，14納米FinFET制程將是相當重要的一步。

　　英特爾方面，14納米FinFET制程已達到可生產(chǎn)芯片水準，目前生產(chǎn)線(xiàn)亦已完成穩定性驗證，正在進(jìn)行后段制程的封裝測試。英特爾2012年在大陸成都工廠(chǎng)首度架構14納米FinFET后段制程實(shí)驗產(chǎn)線(xiàn)，計劃2014年上半在哥斯大黎加工廠(chǎng)亦架設14納米制程產(chǎn)線(xiàn)，至于英特爾行動(dòng)應用處理器14納米FinFET制程研發(fā)，則將在美國總公司內進(jìn)行。

　　由于英特爾曾在22納米制程引進(jìn)FinFET技術(shù)，因此在14納米FinFET制程可望領(lǐng)先群雄，惟14納米FinFET制程用在行動(dòng)應用處理器時(shí)能發(fā)揮多大性能，仍是未知數。三星在FinFET制程技術(shù)亦不遑多讓?zhuān)享n業(yè)者表示，三星14納米FinFET制程在應用處理器和SRAM等記憶體測試時(shí)，都獲得不錯成果，未來(lái)半導體三強在應用處理器和代工市場(chǎng)競爭將越演越烈。

　　面對英特爾、三星14納米制程挑戰，臺積電將藉由16納米制程全面反擊，近期業(yè)界傳出臺積電將罕見(jiàn)地在同一個(gè)制程世代上，還沒(méi)進(jìn)入正式試產(chǎn)，就推出16納米FinFET+新版本，且將在2015、2016年規劃終極版，暫訂為16納米FinFETTurbo版本，顯見(jiàn)臺積電對于16納米制程世代必勝的決心。

　　半導體業(yè)者透露，臺積電深知16納米世代將面臨硬仗，相較于28及20納米世代挑戰大很多，遂針對16納米制程往后3年的作戰計劃，已擬好3個(gè)版本陸續上陣，根據臺積電規畫(huà)，16納米制程會(huì )在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，屆時(shí)可能會(huì )由16納米FinFET+新版本披掛上陣，預計2015年初導入量產(chǎn)，成為搶下蘋(píng)果下世代A9處理器芯片訂單一大利器。

　　由于三星傳出14納米制程亦是在2014年底、2015年初進(jìn)入試產(chǎn)，腳步緊跟著(zhù)臺積電，尤其三星在策略上跳過(guò)20納米，將多數資源放在14納米制程，就是為與臺積電一較高下。半導體業(yè)者認為，臺積電與三星決勝關(guān)鍵將是在良率和耗電量表現，由于臺積電一向在先進(jìn)制程良率表現突出，可望成為扳倒三星的關(guān)鍵點(diǎn)。

　　事實(shí)上，臺積電過(guò)去一直強調20納米是個(gè)完整的制程世代，但20納米是為蘋(píng)果量身打造，順勢量產(chǎn)A8處理器芯片，造成20納米與16納米量產(chǎn)時(shí)程太近，部分客戶(hù)寧愿直接導入16納米，讓臺積電在16納米發(fā)展更加謹慎，以穩固先進(jìn)制程市占率。