英特爾和軟銀合作為AI數據中心開(kāi)發(fā)高能效HBM替代品

美國芯片巨頭英特爾與日本科技和投資巨頭軟銀合作，構建了 HBM 的堆疊式 DRAM 替代品。據日經(jīng)亞洲報道，這兩家行業(yè)巨頭成立了 Saimemory，以基于 Intel 技術(shù)和日本學(xué)術(shù)界（包括東京大學(xué)）的專(zhuān)利構建原型。該公司的目標是到 2027 年完成原型和大規模生產(chǎn)可行性評估，最終目標是在本十年結束前實(shí)現商業(yè)化。

大多數 AI 處理器使用 HBM 或高帶寬存儲芯片，非常適合臨時(shí)存儲 AI GPU 處理的大量數據。然而，這些 IC 制造復雜且相對昂貴。除此之外，它們很快就會(huì )變熱并且需要相對更多的功率。該合作伙伴關(guān)系旨在通過(guò)堆疊 DRAM 芯片，然后找出一種更高效地連接它們的方法來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。這樣，與類(lèi)似的 HBM 芯片相比，堆疊式 DRAM 芯片的功耗減少了一半。

如果成功，軟銀表示希望優(yōu)先供應這些芯片。目前，只有三家公司生產(chǎn)最新的 HBM 芯片：三星、SK 海力士和美光。對 AI 芯片永不滿(mǎn)足的需求意味著(zhù) HBM 供應可能難以維持，因此 Saimemory 旨在通過(guò)其替代品壟斷市場(chǎng)，至少在日本數據中心方面是這樣。這也是日本 20 多年來(lái)首次以成為主要存儲芯片供應商為目標。日本公司在 1980 年代曾經(jīng)主導市場(chǎng)，當時(shí)它們制造了全球約 70% 的供應。然而，韓國和臺灣競爭對手的崛起已將其許多存儲芯片制造商擠出市場(chǎng)。

這并不是半導體公司第一次試驗 3D 堆疊 DRAM。三星早在去年就已經(jīng)宣布了 3D 和堆疊 DRAM 的計劃，而另一家公司 NEO Semiconductor 也在研究 3D X-DRAM。然而，這些都集中在擴大每個(gè)芯片的容量上，內存模塊的目標是具有 512GB 的容量。另一方面，Saimemory 的目標是降低功耗——這是數據中心迫切需要的，尤其是在 AI 功耗每年都在增加的情況下。