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IDC:2025年全球半導體市場(chǎng)八大趨勢預測

作者: 時(shí)間:2024-12-17 來(lái)源:IDC 收藏

2025年市場(chǎng)將實(shí)現15%增長(cháng)。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202412/465558.htm

根據國際數據公司()“全球供應鏈追蹤情報” 的最新研究表明,鑒于 2025 年全球人工智能(AI)與高性能運算(HPC)需求不斷攀升,從云端數據中心、終端設備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,各個(gè)主要應用市場(chǎng)都面臨著(zhù)規格升級的趨勢,產(chǎn)業(yè)將再次迎來(lái)全新的繁榮景象。

資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示:“在人工智能持續推動(dòng)高階邏輯制程芯片需求,以及高價(jià)高帶寬內存(HBM)滲透率提升的推動(dòng)下,預計 2025 年整個(gè)半導體市場(chǎng)的規模將增長(cháng)超過(guò) 15%。半導體供應鏈涵蓋設計、制造、封裝測試、先進(jìn)封裝等產(chǎn)業(yè),通過(guò)上下游之間的橫向與縱向合作,將會(huì )共同創(chuàng )造新一輪的增長(cháng)機遇?!?/p>

預計2025年半導體市場(chǎng)將呈現以下八大趨勢:

1、2025 年半導體:AI 驅動(dòng)的高速增長(cháng)態(tài)勢仍將延續。

2025 年半導體市場(chǎng)規模預計將增長(cháng) 15%。在存儲領(lǐng)域,有望實(shí)現超過(guò) 24% 的增長(cháng),主要動(dòng)力源于 AI 加速器所需搭配的 HBM3、HBM3e 等高端產(chǎn)品滲透率持續上升,以及新一代 HBM4 預計于 2025 年下半年推出所產(chǎn)生的帶動(dòng)作用。非存儲領(lǐng)域則有望增長(cháng) 13%,主要得益于采用先進(jìn)制程芯片的需求旺盛,如 AI 服務(wù)器、高端手機芯片等,此外,成熟制程芯片市場(chǎng)也將在消費電子市場(chǎng)回溫的激勵下呈現積極表現。

2、亞太地區 IC 設計市場(chǎng)行情升溫,2025 年有望再增長(cháng) 15%。

亞太地區的 IC 設計企業(yè)產(chǎn)品線(xiàn)豐富多樣,應用領(lǐng)域遍布全球,涵蓋智能手機應用處理器(AP)、電視系統級芯片(SoC)、有機發(fā)光二極管顯示驅動(dòng)芯片(OLED DDIC)、液晶顯示器觸控與顯示驅動(dòng)集成芯片(LCD TDDI)、無(wú)線(xiàn)芯片(WiFi)、電源管理芯片(PMIC)、微控制器(MCU)、專(zhuān)用集成電路(ASIC)等必備芯片。隨著(zhù)庫存水平基本得到控制、個(gè)人設備需求回暖,以及 AI 運算需求延伸至各類(lèi)應用從而帶動(dòng)整體需求,預計 2025 年亞太地區 IC 設計整體市場(chǎng)將持續增長(cháng),年增長(cháng)率達 15%。

3、臺積電將繼續在晶圓代工 1.0 與晶圓代工 2.0 領(lǐng)域占據主導地位。

在傳統晶圓代工 1.0 的定義下,臺積電的市場(chǎng)份額從 2023 年的 59% 穩步上升,預計 2024 年將達到 64%,2025 年更是將擴大至 66%,遠遠超過(guò)三星、中芯國際、聯(lián)電等競爭對手。而在晶圓代工 2.0 定義中(包括晶圓代工、非內存的集成器件制造商制造、封裝測試、光罩制作),2023 年臺積電的市場(chǎng)份額為 28%,但在 AI 驅動(dòng)先進(jìn)制程需求大幅提升的形勢下,預計其市場(chǎng)份額將在 2024 年和 2025 年快速攀升,彰顯在新舊產(chǎn)業(yè)結構下的全方位競爭優(yōu)勢。

4、先進(jìn)制程需求強勁,晶圓代工廠(chǎng)加速擴產(chǎn)。

先進(jìn)制程(20 納米以下)在 AI 需求的推動(dòng)下加速擴產(chǎn)。臺積電不僅在中國臺灣廠(chǎng)區持續建設 2 納米及 3 納米制程,其美國廠(chǎng)區的 4/5 納米制程也即將量產(chǎn)。三星憑借率先進(jìn)入環(huán)繞柵極(GAA)時(shí)代的經(jīng)驗,在韓國華城打磨 2 納米制程。英特爾則在新戰略規劃下押注 18A 制程開(kāi)發(fā),并將吸引更多外部客戶(hù)作為未來(lái)幾年的目標??傮w來(lái)看,預計 2025 年晶圓制造產(chǎn)能將年增 7%,其中先進(jìn)制程產(chǎn)能將年增 12%,平均產(chǎn)能利用率有望維持在 90% 以上的高位,由 AI 需求驅動(dòng)引發(fā)的半導體繁榮景象持續推進(jìn)。

5、成熟制程市場(chǎng)行情回溫,產(chǎn)能利用率將超 75%。

成熟與主流制程(22 納米 - 500 納米)應用范圍廣泛,涵蓋消費電子、汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。展望 2025 年,預計在消費電子的帶動(dòng)下,以及汽車(chē)與工業(yè)控制領(lǐng)域可能出現的零星庫存回補動(dòng)力支持下,整體需求將持續回暖。8 英寸晶圓廠(chǎng)平均產(chǎn)能利用率有望從 2024 年的 70% 攀升至 75%,12 英寸成熟制程平均產(chǎn)能利用率也將提升至 76% 以上,預計 2025 年晶圓代工產(chǎn)能利用率平均提升 5 個(gè)百分點(diǎn)。

6、2025 年為 2 納米晶圓制造技術(shù)的關(guān)鍵之年。

2025 年將是 2 納米技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)期,三大晶圓制造商都將進(jìn)入 2 納米量產(chǎn)階段。臺積電致力于在新竹及高雄擴廠(chǎng),預計下半年穩步邁入量產(chǎn)。三星將遵循以往的一貫做法,預計比臺積電更早投入生產(chǎn)。英特爾則在戰略調整后,全力聚焦導入晶背供電(BSPDN)的 18A 制程。在 2 納米時(shí)代,三大廠(chǎng)商將面臨效能、功耗、體積、價(jià)格(PPAC)方面的嚴峻挑戰,包括芯片效能、功耗表現以及單位面積成本的整體優(yōu)化,尤其 2 納米制程將同步啟動(dòng)智能手機應用處理器、礦機芯片、AI 加速器等關(guān)鍵產(chǎn)品的量產(chǎn),屆時(shí)各家的良率提升速度與擴產(chǎn)節奏將成為市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)。

7、封測產(chǎn)業(yè)生態(tài)重塑,中國大陸市場(chǎng)份額將持續擴大,中國臺灣地區 AI 封測優(yōu)勢提升。

在地緣政治的影響下,全球封測格局正在重新構建。在中國半導體自主化政策的推動(dòng)下,晶圓代工成熟制程產(chǎn)能快速增長(cháng),下游的外包半導體封裝測試(OSAT)產(chǎn)業(yè)也隨之擴張,正在形成完整的制造產(chǎn)業(yè)鏈。中國臺灣地區廠(chǎng)商在這種形勢下展現出另一方面的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,不僅加速在中國臺灣地區及東南亞布局產(chǎn)能,還深入鉆研 AI 芯片先進(jìn)封裝技術(shù)。展望 2025 年,中國大陸封測市場(chǎng)份額將持續上升,中國臺灣地區廠(chǎng)商則鞏固在 AI 圖形處理器(GPU)等高端芯片的封裝優(yōu)勢。預計 2025 年整個(gè)封測產(chǎn)業(yè)將增長(cháng) 9%。

8、先進(jìn)封裝:扇出型面板級封裝(FOPLP)深入布局,CoWoS 產(chǎn)能倍增。

隨著(zhù)半導體芯片功能與效能要求不斷提高,先進(jìn)封裝技術(shù)愈發(fā)重要。在扇出型面板級封裝方面,從 2025 年起將快速發(fā)展,目前以玻璃Base制程為主,應用于電源管理芯片、射頻芯片等小型芯片,預計經(jīng)過(guò)數年技術(shù)積累后有望進(jìn)軍對封裝面積要求更大的 AI 芯片市場(chǎng),并導入技術(shù)門(mén)檻更高的玻璃基底產(chǎn)品。此外,在英偉達(NVIDIA)、超威半導體(AMD)、亞馬遜網(wǎng)絡(luò )服務(wù)(AWS)、博通(Broadcom)與云端服務(wù)供應商(CSP)等高性能運算客戶(hù)需求的推動(dòng)下,臺積電的 CoWoS 產(chǎn)能持續倍增,目標是從 2024 年的 33 萬(wàn)片大幅擴充至 2025 年的 66 萬(wàn)片,年增長(cháng) 100%,其中以 CoWoS - L 產(chǎn)品線(xiàn)年增長(cháng) 470% 為主要動(dòng)力,而中國臺灣地區的設備供應鏈,包括濕蝕刻、點(diǎn)膠等關(guān)鍵制程設備廠(chǎng)商,將在此次擴產(chǎn)浪潮中獲得更多發(fā)展機遇。

IDC 指出,2025 年全球半導體產(chǎn)業(yè)將繼續保持兩位數增長(cháng),但仍需應對多種變量:地緣政治風(fēng)險、全球經(jīng)濟政策(包括產(chǎn)業(yè)補貼、貿易關(guān)稅、貨幣利率等)、終端市場(chǎng)需求以及新增產(chǎn)能帶來(lái)的供需變化,都是 2025 年半導體產(chǎn)業(yè)值得關(guān)注的重要方面。



關(guān)鍵詞: IDC 半導體

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