SK海力士與臺積電攜手加強HBM技術(shù)領(lǐng)導力

·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄

·通過(guò)采用臺積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能

·“以構建IC設計廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)、存儲器廠(chǎng)三方合作的方式，突破面向AI應用的存儲器性能極限”

2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開(kāi)發(fā)預計在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。

SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級邏輯代工企業(yè)臺積電攜手合作，將會(huì )繼續引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng )新。通過(guò)以構建IC設計廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)、存儲器廠(chǎng)三方技術(shù)合作的方式，公司將實(shí)現存儲器產(chǎn)品性能的新突破?！?/p>

兩家公司將首先致力于針對搭載于HBM封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進(jìn)行性能改善。HBM是將多個(gè)DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，并通過(guò)TSV技術(shù)進(jìn)行垂直連接而成?；A裸片也連接至GPU，起著(zhù)對HBM進(jìn)行控制的作用。

SK海力士以往的HBM產(chǎn)品，包括HBM3E（第五代HBM產(chǎn)品）都是基于公司自身制程工藝制造了基礎裸片，但從HBM4產(chǎn)品開(kāi)始計劃采用臺積電的先進(jìn)邏輯（Logic）工藝。若在基礎裸片采用超細微工藝可以增加更多的功能。由此，公司計劃生產(chǎn)在性能和功效等方面更廣的滿(mǎn)足客戶(hù)需求的定制化（Customized）HBM產(chǎn)品。

與此同時(shí)，雙方將協(xié)力優(yōu)化SK海力士的HBM產(chǎn)品和臺積電的CoWoS**技術(shù)融合，共同應對HBM相關(guān)客戶(hù)的要求。

SK海力士AI Infra擔當社長(cháng)金柱善表示：“通過(guò)與臺積電的合作伙伴關(guān)系，公司不僅將開(kāi)發(fā)出最高性能的HBM4，還將積極拓展與全球客戶(hù)的開(kāi)放性合作（Open Collaboration）。今后，公司將提升客戶(hù)定制化存儲器平臺（Custom Memory Platform）的競爭力，以鞏固公司‘面向AI的存儲器全方位供應商’的地位?！?/p>

臺積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)和海外營(yíng)運辦公室資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運長(cháng)張曉強表示：“多年來(lái)，臺積電與SK海力士已經(jīng)建立了穩固的合作伙伴關(guān)系。通過(guò)與此融合了最先進(jìn)的邏輯工藝和HBM產(chǎn)品，向市場(chǎng)提供了全球領(lǐng)先的AI解決方案。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司也通過(guò)密切合作提供最佳的整合產(chǎn)品，為我們的共同客戶(hù)開(kāi)展新的AI創(chuàng )新成為關(guān)鍵推動(dòng)力?！?/p>

* 硅通孔（TSV，Through Silicon Via）：在DRAM芯片打上數千個(gè)細微的孔，并通過(guò)垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)。

** CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）：臺積電獨有的制程工藝，是一種在稱(chēng)為硅中階層（Interposer）的特殊基板上搭載并連接GPU、xPU等邏輯芯片和HBM的封裝方式。其技術(shù)在2D封裝基板上集成邏輯芯片和垂直堆疊（3D）的HBM，并整合成一個(gè)模組，因此也被稱(chēng)為2.5D封裝技術(shù) 。