國產(chǎn)光刻膠新突破！

近日，華中科技大學(xué)與湖北九峰山實(shí)驗室的研究團隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，成功突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。

在半導體制造環(huán)節，光刻膠是不可或缺的材料，其質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門(mén)檻高，市場(chǎng)上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數。當半導體制造節點(diǎn)進(jìn)入到100nm甚至是10nm以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線(xiàn)邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

為此，華中科技大學(xué)與九峰山實(shí)驗室聯(lián)合研究團隊通過(guò)巧妙的化學(xué)結構設計，以?xún)煞N光敏單元構建“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學(xué)放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線(xiàn)邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極?。s為0.05）、性能優(yōu)于大多數商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時(shí)間完全符合半導體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

依托九峰山實(shí)驗室工藝平臺，該自主研發(fā)的光刻膠體系已完成產(chǎn)線(xiàn)初步工藝驗證，并同步完成了各項技術(shù)指標檢測優(yōu)化，成功打通從技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)轉化的全流程。該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時(shí)為EUV光刻膠的著(zhù)力開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲備。