價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴產(chǎn)

市場(chǎng)對人工智能的熱情還在持續升溫，隨著(zhù)芯片庫存調整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內閃存產(chǎn)品價(jià)格均開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于A(yíng)I需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(cháng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。

行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年一季度財報開(kāi)始，三星、美光業(yè)績(jì)開(kāi)始翻盤(pán)。并且，三星、美光、SK海力士三大存儲原廠(chǎng)在發(fā)布最新擴產(chǎn)動(dòng)態(tài)或財報后，股價(jià)應聲大漲。據悉，包括三大原廠(chǎng)及晶圓代工大廠(chǎng)臺積電、英特爾在內的廠(chǎng)家均在加大晶圓投入，并針對HBM存儲芯片以及先進(jìn)封裝進(jìn)行一系列的產(chǎn)能擴產(chǎn)，市場(chǎng)逐步進(jìn)入到新一輪上升周期中。

三星美國投資追加至440億美元？或新建一座晶圓廠(chǎng)和一個(gè)封裝廠(chǎng)

近日據外媒消息，三星計劃將在美國德克薩斯州的投資增加至約440億美元，大部分新支出將集中在泰勒市附近。目前三星正在當地建設一家芯片廠(chǎng)，現計劃再建一家芯片制造廠(chǎng)以及一個(gè)先進(jìn)封裝廠(chǎng)。

消息人士稱(chēng)，宣布三星擴大投資的活動(dòng)預計將于4月15日在泰勒舉行。對此三星未予置評。此前2021年消息顯示，三星曾承諾向泰勒投資170億美元用于建設一家尖端芯片制造工廠(chǎng)，這次是在此基礎上追加的投資，金額翻倍。據了解，AI人工智能相關(guān)部件上如HBM，以及2.5D和3D封裝技術(shù)將是三星此次投資的重點(diǎn)。

寒冬尾聲，邁過(guò)2023年慘淡的業(yè)績(jì)后，三星再次迎來(lái)亮眼財報。近日其發(fā)布業(yè)績(jì)指引稱(chēng)，三星第一季度營(yíng)收同比增加11.4%，達到71萬(wàn)億韓元（約合人民幣3805億元）。營(yíng)利將同比增長(cháng)約931%，從6400億韓元（約合人民幣34.30億元）至6.6萬(wàn)億韓元（約合人民幣353億元）。不過(guò)，最終正式財報結果將在4月底公布。

此外，三星HBM芯片需求也在不斷上升。近日英偉達CEO黃仁勛在英偉達GTC 2024活動(dòng)的媒體見(jiàn)面會(huì )上暗示，英偉達有意采購三星的HBM芯片。近期外媒消息顯示，英偉達最快將從9月開(kāi)始大量購買(mǎi)三星電子的12層HBM3E。該消息還在進(jìn)一步證實(shí)中。

SK海力士美國38.7億美元建HBM先進(jìn)封裝廠(chǎng)

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于A(yíng)I的存儲器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，同時(shí)與美國普渡（Purdue）大學(xué)等當地研究機構進(jìn)行半導體研究和開(kāi)發(fā)合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。

SK海力士表示，印第安納州工廠(chǎng)預計在2028年下半年開(kāi)始量產(chǎn)新一代HBM等適于A(yíng)I的存儲器產(chǎn)品。公司將以此領(lǐng)先激活全球AI半導體供應鏈?！?/p>

另外，SK海力士還將順利推進(jìn)已計劃的韓國國內投資項目。公司將投資120萬(wàn)億韓元建設的龍仁半導體集群目前正在進(jìn)行用地在建工程。SK海力士計劃在明年3月開(kāi)工建造第一座工廠(chǎng)，并于2027年初完工。而且還將建造“迷你工廠(chǎng)”以此加強材料、零部件、設備生態(tài)系統。據悉，迷你工廠(chǎng)是為了驗證半導體材料、零部件、設備等，具備300毫米晶圓工藝設備的研究設施。

據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷預估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長(cháng)約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。

TrendForce集邦咨詢(xún)觀(guān)察，以HBM產(chǎn)能來(lái)看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產(chǎn)能規劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產(chǎn)能會(huì )依據驗證進(jìn)度與客戶(hù)訂單持續而有變化。另以現階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來(lái)看，目前SK海力士于HBM3市場(chǎng)比重逾9成，而三星將隨著(zhù)后續數個(gè)季度AMD MI300逐季放量持續緊追。

美光Q2財報大漲，HBM3E貢獻巨大

近日，美光也公布了2024年第二季度最新財報。財報數據顯示美光營(yíng)收58.2億美元，環(huán)比上漲了23%，同比大漲57.7%。美光在NON-GAAP準則下調整后的營(yíng)業(yè)利潤同樣由虧轉盈，數據顯示美光Q2調整后營(yíng)業(yè)利潤達到2.04億美元。相比之下上年同期虧損20.77億美元，第一財季虧損9.55億美元。

美光首席執行官Sanjay Mehrotra在與分析師的電話(huà)會(huì )議上表示：“美光已經(jīng)恢復盈利，并比預期提前足足一個(gè)季度實(shí)現了正向的營(yíng)業(yè)利潤率?！睒I(yè)績(jì)預期方面，美觀(guān)預計在HBM強勁需求驅動(dòng)之下，第三財季營(yíng)收區間將達到64億美元至68億美元，意味著(zhù)同比激增70%到81%。

3月尾聲，美光宣布其位于西安的封裝和測試新廠(chǎng)房已正式破土動(dòng)工。此前，在2023年6月，美光宣布在西安追加投資43億元人民幣。該投資計劃包括加建上述的封裝和測試新廠(chǎng)房以及收購力成半導體（西安）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“力成西安”）的封裝設備。其中加建的新廠(chǎng)房將引入全新產(chǎn)線(xiàn)，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，包括但不限于移動(dòng)DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠(chǎng)現有的DRAM封裝和測試能力。據悉，該新廠(chǎng)房預計將于2025年下半年投產(chǎn)，并根據市場(chǎng)需求逐步增產(chǎn)。新廠(chǎng)房落成后，美光西安工廠(chǎng)的總面積將超過(guò)13.2萬(wàn)平方米（140萬(wàn)平方英尺）。

在擴產(chǎn)進(jìn)度上，美光管理層表示，2024財年新工廠(chǎng)和設備的預算將維持在75億美元至80億美元，并且該公司將繼續在中國、日本和印度開(kāi)展項目。

今年美光推出了HBM3E（第五代HBM）新品，該公司表示是市場(chǎng)針對AI應用的最高規格DRAM產(chǎn)品。目前美光已開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM3E，其24GB 8H HBM3E產(chǎn)品將供貨給英偉達，并將應用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，從NVIDIA此前發(fā)布的AI產(chǎn)品規劃來(lái)看，B100系列的后繼產(chǎn)品為X100、GX200等產(chǎn)品，雖然信息尚未明朗。然而，根據其設計態(tài)勢與對主權AI（Sovereign AI）的推動(dòng)，積極發(fā)展NVLink串連更多算力，以及大幅降低相對能耗預計為考量重點(diǎn)，而后者或將使其積極采用具備高效能特性的HBM。

美光新品有望從中受益更多，官方表示，公司有望在2024財年從HBM中獲得數億美元的收入，并預計從第三財季開(kāi)始，HBM收入將增加我們的DRAM 和整體毛利率。我們的2024年HBM已售罄，并且2025年的絕大多數供應已分配完畢。

目前，據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023年SK海力士占據了46％到49％的HBM市場(chǎng)份額，三星市場(chǎng)份額也差別不大，美光目前只占有4％到6％的市場(chǎng)份額。據行業(yè)人士觀(guān)點(diǎn)，在美光新品持續發(fā)力情況下，受到美國地緣優(yōu)勢影響，美國本地科技巨頭或加大采購力度，助力其市場(chǎng)份額提升。

英特爾獲得美國芯片法案最大一筆補貼

近日，美國拜登總統在亞利桑那州宣布為英特爾提供85億美元的直接撥款和110億美元的貸款，以及未來(lái)5年25%的稅收減免。據悉，各項補貼總計接近200億美元，為《芯片法案》出臺之后最大的一筆補貼。

英特爾官方信息顯示，英特爾正計劃未來(lái)5年在亞利桑那州、俄亥俄州、新墨西哥州和俄勒岡州投資1000億美元，以擴大先進(jìn)芯片制造能力，并在2030年重回晶圓代工第二寶座，此番補貼為其“五年大計”助力不少。

對于此次200億美元補貼，英特爾稱(chēng)將在美國新建晶圓廠(chǎng)和先進(jìn)封裝項目，預計25%至30%用在建造生產(chǎn)設施，其余約70%用于設備，具體包括：亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠(chǎng)，分別為Fab 52和Fab 62，打造下一代EUV生產(chǎn)線(xiàn)為Intel 18/20A工藝服務(wù)；俄亥俄州新奧爾巴尼園區的兩座新建晶圓廠(chǎng)；俄勒岡州希爾斯伯勒園區進(jìn)行的擴建和改造，涉及D1X晶圓廠(chǎng)等設施，近期開(kāi)始安裝ASML的High-NA EUV光刻機；新墨西哥州里奧蘭喬的Fab 9和Fab 11X，用于先進(jìn)的半導體封裝技術(shù)。

其中作為英特爾代工計劃的重中之重，俄亥俄州哥倫布市附近的空地將從2027年起建設成為“全球最大的AI芯片制造基地”。

英特爾最新動(dòng)態(tài)顯示，該公司晶圓代工架構再次調整，英特爾將其財務(wù)架構將拆分為英特爾代工和英特爾產(chǎn)品兩大板塊，屆時(shí)，英特爾代工業(yè)務(wù)將成為一個(gè)獨立的運營(yíng)部門(mén)，擁有自己的損益表。

當前，晶圓代工廠(chǎng)商之間的競爭已升級到2nm制程。其中，intel 18A便是英特爾針對臺積電下一代2納米制程技術(shù)的競爭。據介紹，目前英特爾已經(jīng)收到了5家客戶(hù)的訂單承諾，并為這項特定的制造技術(shù)測試了十幾顆芯片。得一提的是，英特爾近日亦首次單獨披露了芯片制造業(yè)務(wù)的收入總額，其代工業(yè)務(wù)在2023年營(yíng)業(yè)虧損70億美元，銷(xiāo)售額為189億美元?；粮癖硎?，2024年將是該公司芯片制造業(yè)務(wù)運營(yíng)虧損最嚴重的一年，預計到2027年左右才會(huì )實(shí)現運營(yíng)盈虧平衡。

臺積電18日業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )，先進(jìn)封裝布局和CoWoS產(chǎn)能成焦點(diǎn)

臺積電已經(jīng)在先進(jìn)封裝上多次擴產(chǎn)。3月18日，據中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電將在中國臺灣地區嘉義科學(xué)園區先進(jìn)封裝廠(chǎng)新廠(chǎng)加大投資，園區將撥出六座新廠(chǎng)用地給臺積電，比原本預期的四座多兩座，總投資額逾5000億新臺幣（約合人民幣1137億元），主要擴充晶圓基片芯片（CoWoS）先進(jìn)封裝產(chǎn)能。另?yè)渌襟w消息顯示，臺積電正考慮在日本建設先進(jìn)的芯片封裝產(chǎn)能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術(shù)引入日本。

3月18日晚間，臺積電官方雖未證實(shí)六座新廠(chǎng)及日本擴建封裝廠(chǎng)的消息，但其表示，臺積電證實(shí)將在嘉義科學(xué)園區設2座CoWoS先進(jìn)封裝廠(chǎng)，首座 CoWoS 廠(chǎng)預計5月動(dòng)工，2028年量產(chǎn)。

據悉，從去年中至今年初，中國中國臺灣方面就積極協(xié)調臺積電先進(jìn)封裝廠(chǎng)進(jìn)駐位于太保的嘉科，相關(guān)環(huán)評、水電設施都已盤(pán)點(diǎn)、處理完成，預計4月就能動(dòng)工，這間接證實(shí)相關(guān)傳聞。

目前，臺積電的CoWoS產(chǎn)能全部位于中國臺灣。據路透社最新報道，知情人士透露，臺積電正考慮在日本建設先進(jìn)的芯片封裝產(chǎn)能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術(shù)引入日本。審議工作還處于早期階段，尚未就潛在投資的規?；驎r(shí)間表做出決定。

根據官網(wǎng)，臺積電在中國臺灣共有5座先進(jìn)封測廠(chǎng)，位于新竹、臺南、桃園龍潭、臺中，以及苗栗竹南。其中位于苗栗竹南的先進(jìn)封測六廠(chǎng)，2023年6月上旬啟用，整合SoIC、InFO、CoWoS，以及先進(jìn)測試等多種臺積電3D Fabric先進(jìn)封裝與硅堆棧技術(shù)產(chǎn)能規劃。2023年7月下旬，臺積電在竹科銅鑼園區布局CoWoS晶圓新廠(chǎng)，預計2026年底完成建廠(chǎng)，規劃2027年第2季或第3季量產(chǎn)。

本月18日臺積電將舉行業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )，其先進(jìn)封裝布局和CoWoS產(chǎn)能進(jìn)展成為業(yè)界關(guān)注重點(diǎn)。法人評估到2025年上半年，臺積電CoWoS產(chǎn)能已被訂滿(mǎn)，今年臺積電供應的CoWoS產(chǎn)能中，超過(guò)50%比重將由NVIDIA和博通占據。