我國科研團隊完成新型光刻膠技術(shù)初步驗證：為EUV光刻膠開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲備

4月2日消息，據湖北九峰山實(shí)驗室官微消息，九峰山實(shí)驗室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團隊，支持華中科技大學(xué)團隊突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。

據介紹，該研究通過(guò)巧妙的化學(xué)結構設計，以?xún)煞N光敏單元構建“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學(xué)放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線(xiàn)邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極?。s為0.05）、性能優(yōu)于大多數商用光刻膠。

且光刻顯影各步驟所需時(shí)間完全符合半導體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

作為半導體制造不可或缺的材料，光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門(mén)檻高，市場(chǎng)上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數。

當半導體制造節點(diǎn)進(jìn)入到100nm甚至是10 nm以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線(xiàn)邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時(shí)為EUV光刻膠的著(zhù)力開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲備。

上述具有自主知識產(chǎn)權的光刻膠體系在產(chǎn)線(xiàn)上完整了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術(shù)指標的檢測優(yōu)化，實(shí)現了從技術(shù)開(kāi)發(fā)到成果轉化的全鏈條打通。