新思科技攜手臺積公司簡(jiǎn)化多裸晶系統復雜性,推出面向臺積公司N3E工藝的“從架構探索到簽核” 統一設計平臺和經(jīng)驗證的UCIe IP
摘要:
● 新思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0標準,可用于異構集成和完整的“從架構探索到簽核”完整解決方案。
● 新思科技 UCIe PHY IP在臺積公司N3E工藝上實(shí)現了首次通過(guò)硅片的成功(first-pass silicon success),可提供低延遲、低功耗和高帶寬的芯片間連接。
● UCIe PHY IP與3DIC Compiler的結合將有效優(yōu)化多裸晶系統設計,能夠以更低的集成風(fēng)險實(shí)現更高的結果質(zhì)量。
圖 新思科技UCIe PHY IP在臺積公司N3E工藝上首次通過(guò)硅片的成功,展示了出充足的鏈路裕量
新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布進(jìn)一步擴大與臺積公司的合作,雙方攜手通過(guò)可支持最新3Dblox 2.0標準和臺積公司3DFabric?技術(shù)的全面解決方案不斷優(yōu)化多裸晶系統(Multi-Die)設計。新思科技多裸晶系統解決方案包括 “從架構探索到簽核”統一設計平臺3DIC Compiler,可提供行業(yè)領(lǐng)先的設計效率,來(lái)實(shí)現芯片的容量和性能要求。此外,新思科技 UCIe IP也已在臺積公司領(lǐng)先的N3E先進(jìn)工藝上取得了首次通過(guò)硅片的成功,實(shí)現die-to-die高速無(wú)縫互連。
臺積公司設計基礎設施管理部負責人Dan Kochpatcharin表示:“臺積公司長(cháng)期與新思科緊密合作,為芯片開(kāi)發(fā)者提供差異化的解決方案,幫助他們解決從早期架構到制造過(guò)程中面臨的高度復雜挑戰。我們與新思科技的長(cháng)期合作,讓我們的共同客戶(hù)能夠采針對性能和功耗效率優(yōu)化的解決方案,以應對高性能計算、數據中心和汽車(chē)應用領(lǐng)域的多裸晶系統設計要求?!?/p>
新思科技EDA事業(yè)部戰略與產(chǎn)品管理副總裁Sanjay Bali表示:“我們與臺積公司強強聯(lián)合,為多裸晶系統提供了全面、可擴展的解決方案,實(shí)現了前所未有的芯片性能和設計效率。采用3Dblox 2.0等通用標準在統一設計平臺上進(jìn)行多裸晶系統設計的架構探索、分析和簽核,并結合在臺積公司N3E工藝上已實(shí)現首次通過(guò)硅片成功的新思科技 UCIe PHY IP,客戶(hù)能夠進(jìn)一步加速從早期架構探索到制造的系統設計全流程?!?/p>
新思科技3DIC Compiler設計平臺已通過(guò)臺積公司認證,可在統一的裸片/封裝探索、協(xié)同設計和分析平臺上使用3Dblox 2.0標準和3DFabric技術(shù)進(jìn)行全棧設計。新思科技集成系統分析功能可與3Dblox 2.0系統原型設計相結合,協(xié)同優(yōu)化熱和電源完整性,有助于確保設計可行性。新思科技和Ansys持續合作,將新思科技 3DIC Compiler和Ansys多物理分析技術(shù)相集成,提供系統級效果的簽核準確性。新思科技3DIC Compiler還可與新思科技測試產(chǎn)品互操作,以確保批量測試和質(zhì)量。
新思科技UCIe PHY IP已在臺積公司 N3E工藝上實(shí)現首次通過(guò)硅片的成功,并獲多家全球領(lǐng)先企業(yè)采用,能夠幫助開(kāi)發(fā)者高效地將die-to-die互聯(lián)的業(yè)界標準集成到他們的多裸晶系統中。結果顯示,該IP在16Gbps時(shí)可實(shí)現行業(yè)領(lǐng)先的功耗效率和性能,并可擴展至24Gbps,同時(shí)具有強大的鏈路裕量。新思科技的完整UCIe Compiler、PHY和驗證IP解決方案目前已支持標準和先進(jìn)封裝,提供了測試、修復和監測功能,即使在以確保多裸晶系統在現場(chǎng)操作中的可靠性。此外,新思科技還提供了面向HBM3技術(shù)的完整IP解決方案,以滿(mǎn)足Multi-Die系統的高內存帶寬需求。新思科技IP產(chǎn)品與新思科技3DIC Compiler的組合通過(guò)自動(dòng)化布局布線(xiàn)、中介層研究和信號完整性分析,支持3Dblox 2.0 die-to-die可行性研究,從而提高生產(chǎn)力并降低IP集成風(fēng)險。
上市情況
● 新思科技面向臺積公司N3E工藝的UCIe PHY IP和3DIC Compiler現已上市。
● 新思科技面向臺積公司先進(jìn)工藝的 HBM3 IP現已上市。
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