傳輸速度高達2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據業(yè)內消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。

據悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。

三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì )提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數據并沒(méi)有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。

官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生產(chǎn)率，而且在相同良品率的情況下也一定程度拉低了成本，同時(shí)也意味著(zhù)固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格會(huì )更親民。

三星電子的flash產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁SungHoi Hur表示，由于市場(chǎng)對更密集、更大容量存儲的需求推動(dòng)了更高的V-NAND層數，三星采用了先進(jìn)的3D壓縮技術(shù)減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在壓縮時(shí)出現的單元間干擾。

而且第八代V-NAND閃存會(huì )進(jìn)一步滿(mǎn)足快速增長(cháng)的市場(chǎng)需求，從而構成良心循環(huán)使三星電子更好地提供更多差異化的產(chǎn)品也是未來(lái)存儲創(chuàng )新的基礎。

今年三星推出了其第八代和第九代V-NAND產(chǎn)品以及第五代DRAM產(chǎn)品，三星電子預計到2030年會(huì )推出1000層的V-NAND。

而且現階段三星電子正在研發(fā)上投入更多資源，并且從其當前的TLC架構過(guò)渡到四級單元的QLC架構，并以此來(lái)提高密度并啟用更多層數。