摩爾定律不死 臺積電已在謀劃1nm工藝：下代EUV光刻機是關(guān)鍵

　　在先進(jìn)工藝上，臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會(huì )開(kāi)始使用GAA晶體管，放棄現在的FinFET晶體管技術(shù)。

　　再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、臺積電及三星這三大芯片廠(chǎng)商也在沖刺，其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺積電沒(méi)說(shuō)時(shí)間點(diǎn)，預計也是在2027年左右。

　　1.4nm之后就是1nm工藝了，這個(gè)節點(diǎn)曾經(jīng)被認為是摩爾定律的物理極限，是無(wú)法實(shí)現的，但是現在芯片廠(chǎng)商也已經(jīng)在攻關(guān)中。

　　臺積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導計劃，傳聞中的1nm晶圓廠(chǎng)將落戶(hù)新竹科技園下屬的桃園龍潭園區，這意味著(zhù)臺積電已經(jīng)開(kāi)始為1nm做規劃了，畢竟工廠(chǎng)需要提前一兩年建設。

　　不過(guò)真正量產(chǎn)1nm還需要很長(cháng)時(shí)間，其中關(guān)鍵的設備就是下一代EUV光刻機，要升級下一代的高NA（數值孔徑）標準，從現在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味著(zhù)更分辨率更高，是3nm之后的工藝必備的條件。

　　按照ASML的計劃，下一代EUV光刻機的試驗型號最快明年就開(kāi)始出貨，2025年后達到正式量產(chǎn)能力，售價(jià)將達到4億美元以上。