美國全面卡死2nm?設計GAA技術(shù)芯片的EDA,不準賣(mài)到中國大陸
眾所周知,三星在3nm芯片時(shí),采用了GAAFET晶體管技術(shù),這是相對于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202208/437347.htmGAAFET晶體管技術(shù)為何更先進(jìn)?原因在于GAAFET提供比FinFET更好的靜電特性,在同等尺寸結構下,GAA 的溝道控制能力強化,尺寸可以進(jìn)一步微縮,同時(shí)電壓降低。

這就使得GAAFET晶體管,可以密度更高,同時(shí)電壓更低,這樣性能更強,功耗降低。
雖然目前在3nm技術(shù)上,三星使用GAAFET技術(shù),而臺積電使用FinFET技術(shù),但到2nm時(shí),不管是臺積電,還是三星,或者intel都會(huì )使用GAAFET技術(shù),因為FinFET技術(shù),已經(jīng)無(wú)法再微縮,實(shí)現不了2nm。

可以說(shuō),只要卡住GAAFET晶體管技術(shù),就相當于卡住了2nm芯片技術(shù)。
而近日,外媒Protocol報道,美國準備對用于設計半導體的特定類(lèi)型EDA軟件實(shí)施新的出口限制。
按照報道,美國計劃將使用于“Gate-all-around”(環(huán)繞柵極,GAA)新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件,列入禁止出口的清單中,不準賣(mài)到中國大陸來(lái)。

以往美國在芯片制造上,主要針對的是制造業(yè),即不允許賣(mài)先進(jìn)的半導體設備到中國大陸來(lái),比如EUV光刻機等。
現在要禁止EDA工具,則意味著(zhù)不僅是針對晶圓制造企業(yè),針對的還有芯片設計企業(yè)了,因為沒(méi)有EDA工具,在現在這樣的情況下,再牛的芯片設計企業(yè),也設計不出芯片來(lái)。
而目前EDA基本上是被Synopsys、Cadence和西門(mén)子EDA這三家巨頭壟斷的,特別是先進(jìn)的設計工具。

而國產(chǎn)EDA,一方面是支持的工藝不夠先進(jìn),二是流程不夠齊全,所以在國內市場(chǎng),這三大巨頭也占了90%市場(chǎng)。
一旦用于GAAFET芯片技術(shù)的EDA被禁,那意味著(zhù)不僅國內的晶圓制造進(jìn)入不了2nm,連設計都卡住了,除非國產(chǎn)EDA跟上來(lái),能夠支持GAAFET技術(shù)。
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