EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
232層
232層 文章 進(jìn)入232層技術(shù)社區
全球首款!美光232層NAND客戶(hù)端SSD正式出貨
- 12月15日,美光宣布,已開(kāi)始向PC OEM客戶(hù)出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。據官方介紹,美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶(hù)端SSD,該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構,采用美光232層NAND技術(shù),加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶(hù)端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比,2550 SSD文件傳輸速度快112%,辦公應用運行速度快67%,主流游戲加載速度快57%,內容創(chuàng )
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND SSD
業(yè)界首發(fā),美光232層NAND,開(kāi)啟存儲技術(shù)創(chuàng )新浪潮

- 如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品,這是美光研發(fā)工程師每天都要應對的挑戰。隨著(zhù)各國對數字化轉型和云遷移的重視,世界對存儲容量和性能的要求越來(lái)越大。美光正在迎接這一創(chuàng )新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實(shí)時(shí)大數據更新,以及移動(dòng)設備、消費電子、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統帶來(lái)智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構,高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構,通過(guò)增加NAN
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND 存儲技術(shù)
業(yè)界首發(fā),不二選擇:美光推出全球首款232層NAND

- 半導體行業(yè)十分有趣,同時(shí)也充滿(mǎn)挑戰。俗話(huà)說(shuō),“打江山難,守江山更難”,這句話(huà)形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力,不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng )新的極限,以推動(dòng)邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應對的挑戰。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰,借此機會(huì )讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來(lái)被公認為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商,之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術(shù),再次
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND
美光出貨全球首款232層NAND,進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

- Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù),從而為存儲解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比,該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效,能為客戶(hù)端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執行副總裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過(guò) 200 層,
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND
國產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步:長(cháng)江存儲或跳過(guò)192層閃存 切入232層
- 2016年成立的長(cháng)江存儲,于2017年通過(guò)自主研發(fā)和國際合作的方式,設計制造了首款3D NAND閃存。2019年,長(cháng)江存儲晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC閃存量產(chǎn),2020年,第三代TLC/QLC研發(fā)成功,推進(jìn)到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域,通常將堆疊層數視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標。DT報道稱(chēng),業(yè)內人士給出消息稱(chēng),長(cháng)江存儲計劃跳過(guò)192層,直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據此前韓國研究機構OERI的一份報告,其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年,理由是三星和SK海力士明年初會(huì )量產(chǎn)超200層閃存,
- 關(guān)鍵字: 長(cháng)江存儲 192層閃存 232層
共5條 1/1 1 |
232層介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條232層!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對232層的理解,并與今后在此搜索232層的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對232層的理解,并與今后在此搜索232層的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
