Intel宣布全新混合結合封裝：凸點(diǎn)密度猛增25倍

在Intel的六大技術(shù)支柱中，封裝技術(shù)和制程工藝并列，是基礎中的基礎，這兩年Intel也不斷展示自己的各種先進(jìn)封裝技術(shù)，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。

Intel又宣布了全新的“混合結合”(Hybrid Bonding)，可取代當今大多數封裝技術(shù)中使用的“熱壓結合”(thermocompression bonding)。

據介紹，混合結合技術(shù)能夠加速實(shí)現10微米及以下的凸點(diǎn)間距(Pitch)，提供更高的互連密度、更小更簡(jiǎn)單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。

Intel目前的3D Foveros立體封裝技術(shù)，可以實(shí)現50微米左右的凸點(diǎn)間距，每平方毫米集成大約400個(gè)凸點(diǎn)，而應用新的混合結合技術(shù)，不但凸點(diǎn)間距能縮小到1/5，每平方毫米的凸點(diǎn)數量也能超過(guò)1萬(wàn)，增加足足25倍。

采用混合結合封裝技術(shù)的測試芯片已在2020年第二季度流片，但是Intel沒(méi)有披露未來(lái)會(huì )在什么產(chǎn)品上商用。

Foveros封裝的Lakefield