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凸點(diǎn)密度
凸點(diǎn)密度 文章 進(jìn)入凸點(diǎn)密度技術(shù)社區
Intel宣布全新混合結合封裝：凸點(diǎn)密度猛增25倍
- 在Intel的六大技術(shù)支柱中，封裝技術(shù)和制程工藝并列，是基礎中的基礎，這兩年Intel也不斷展示自己的各種先進(jìn)封裝技術(shù)，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。Intel又宣布了全新的“混合結合”(Hybrid Bonding)，可取代當今大多數封裝技術(shù)中使用的“熱壓結合”(thermocompression bonding)。據介紹，混合結合技術(shù)能夠加速實(shí)現10微米及以下的凸點(diǎn)間距(Pitch)，提供更高的互連密度、更小更簡(jiǎn)單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗(每比特不到0.0
- 關(guān)鍵字： Intel 封裝 凸點(diǎn)密度
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凸點(diǎn)密度介紹
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