高通驍龍875G/735G首曝：三星5nm工藝 明年見(jiàn)

7月16日消息，@手機晶片達人分享了一份投行報告，這份報告曝光了高通未來(lái)的芯片產(chǎn)品規劃。

如圖所示，高通將在2020年Q4商用驍龍662和驍龍460,2021年Q1商用驍龍875G和驍龍435G，2021年Q1到Q2之間商用驍龍735G。

其中驍龍875G是高通2021年主打的旗艦平臺，驍龍735G是高通2021年的中端平臺，二者都是三星5nm EUV工藝制程。

據報道，三星5nm EUV工藝性能提升10%，功耗降低20%。

至于驍龍875G，此前有消息稱(chēng)高通會(huì )采用Cortex X1超大核心+Cortex A78大核心的組合。

報道稱(chēng)高通自驍龍855開(kāi)始就已經(jīng)在旗艦平臺上引入1+3+4三叢集架構，隨著(zhù)ARM Cortex A78和Cortex X1核心架構的登場(chǎng)，高通驍龍875G有可能會(huì )引入真正的超大核組合架構，也就是Cortex X1+Cortex A78。

ARM表示，Cortex X1核心架構將提供比Cortex-A77高30%的最大效能，也較同時(shí)發(fā)表的Cortex-A78核心最大效能高23%，機器學(xué)習能力是Cortex-A78的兩倍。

一旦高通驍龍875G使用Cortex X1+Cortex A78的組合，它將會(huì )打破安卓陣營(yíng)中處理器的性能紀錄。而且驍龍875G不再采外掛基帶的方式，而是真正將基帶芯片集成，其整體性能更令人期待。