ASML研發(fā)下一代EUV光刻機：分辨率提升70% 逼近1nm極限

在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創(chuàng )造了新紀錄。據報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機,預計在2022年開(kāi)始出貨。

根據ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會(huì )達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。

目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮短到8-10小時(shí),支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時(shí)處理晶圓數)提升到了175WPH。

不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點(diǎn)是物鏡系統的NA(數值孔徑)為0.33。

ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,NA指標達到了0.55,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時(shí)微電子中心。

與之前的光刻機相比,新一代光刻機意味著(zhù)分辨率提升了70%左右,可以進(jìn)一步提升光刻機的精度,畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。

不過(guò)新一代EUV光刻機還有點(diǎn)早,至少到2022年才能出貨,大規模出貨要到2024年甚至2025年,屆時(shí)臺積電、三星等公司確實(shí)要考慮3nm以下的制程工藝了。