臺積電披露5納米制程最新進(jìn)展：測試良率超過(guò)8成

根據外媒報導，日前在國際電子元件會(huì )議（International Electron Devices Meeting，IEDM）大會(huì )上，晶圓代工龍頭臺積電官方披露了5納米制程的最新進(jìn)展。

而根據公布的資料顯示，5納米制程將會(huì )是臺積電的再一個(gè)重要制程節點(diǎn)，其中將分為N5、N5P兩個(gè)版本。N5相較于當前N7的7納米制程，性能要再提升15%、功耗降低30%。N5P則將在N5的基礎上再將性能提升7%、功耗降低15%。

報導指出，臺積電的5納米將使用第五代FinFET電晶體技術(shù)，EUV極紫外光刻技術(shù)也提升到10多個(gè)光刻層，整體電晶體密度提升84%。換句話(huà)說(shuō)，以7納米是每平方公厘9,627萬(wàn)個(gè)電晶體計算，則5納米就將是每平方公里有1.771億個(gè)電晶體。

同時(shí)，臺積電強調，目前5納米制程正在進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn)階段，而測試芯片的良率平均已達80%，最高良率可超過(guò)90%，只是，相對來(lái)說(shuō)，這些測試芯片的架構相對簡(jiǎn)單，要真的生產(chǎn)移動(dòng)或個(gè)人電腦處理器芯片上，目前良率可能還有些差距。不過(guò)，臺積電目前并沒(méi)有公開(kāi)正式數據。

另外，臺積電還公布了5納米制程下的CPU和GPU芯片的電壓、頻率相對關(guān)系。目前CPU通過(guò)測試的最低值是0.7V/1.5GHz，最高可以做到1.2V/3.25GHz，而GPU方面則是最低0.65V/0.66GHz，而最高則是達到1.2V/1.43GHz。這些公布的結果都是初期的報告，未來(lái)正式投產(chǎn)之后，后續將還會(huì )提升。

根據先前相關(guān)外資所進(jìn)行的預估，臺積電的5納米制程將在2020年上半年，甚至最快在2020年第1季末就會(huì )投入大規模量產(chǎn)，相關(guān)芯片產(chǎn)品將在2020年晚些時(shí)候陸續登場(chǎng)。

而包括蘋(píng)果A14、華為海思麒麟系列新一代處理器，以及AMD Zen4架構第四代銳龍(Ryzen)個(gè)人電腦處理器都將會(huì )采用。而初期的產(chǎn)能規劃每月4.5萬(wàn)片，而未來(lái)將逐步拉高到8萬(wàn)片的數字，只是初期的產(chǎn)能將可能由蘋(píng)果吃下70%，其余的就由華為海思包下。