泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續發(fā)展

上?！?近日，全球領(lǐng)先的半導體制造設備及服務(wù)供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶(hù)提高芯片存儲密度，以滿(mǎn)足人工智能和機器學(xué)習等應用的需求。通過(guò)推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS? GS，泛林集團進(jìn)一步拓展了其應力管理產(chǎn)品組合。

泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續發(fā)展

高深寬比沉積和刻蝕工藝是實(shí)現3D NAND技術(shù)持續發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著(zhù)工藝層數的增加，其累積的物理應力越來(lái)越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過(guò)程中的一個(gè)主要挑戰。嚴重的晶圓翹曲會(huì )影響光刻焦深、層與層之間的對準、甚至導致圖形結構畸變，從而降低產(chǎn)品的良率。為了提高整體良率，需要對整個(gè)制造工藝中多個(gè)步驟在晶圓、晶片和圖形層面的應力進(jìn)行細致管理，甚至因此放棄一些可提升產(chǎn)品性能的工藝步驟。

VECTOR DT系統是泛林集團等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，旨在為控制3D NAND制造中的晶圓翹曲提供一種高性?xún)r(jià)比的解決方案。在完全不接觸晶圓正面的情況下，VECTOR DT可在晶圓背面沉積一層可調節、高應力、高質(zhì)量的薄膜，一步到位地拉平翹曲的晶圓，改善光刻結果，減少由翹曲引起的諸多問(wèn)題。VECTOR DT問(wèn)世之初便得以廣泛采用，隨著(zhù)主流3D NAND產(chǎn)品向96層以上推進(jìn)，其機臺安裝數量將會(huì )持續增長(cháng)。

除了沉積高應力薄膜，泛林集團還提供了背面刻蝕的技術(shù)，客戶(hù)可根據工藝需要，在3D NAND制造流程中靈活地調整晶圓應力。泛林集團的濕法刻蝕產(chǎn)品EOS GS擁有業(yè)界領(lǐng)先的濕法刻蝕均勻度，能在充分保護晶圓正面的前提下，同時(shí)去除背面和邊緣的薄膜，與VECTOR DT形成有力互補。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團的EOS GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。

泛林集團副總裁兼沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“隨著(zhù)客戶(hù)產(chǎn)品的存儲單元層數持續、大幅的增加，累積應力和晶圓翹曲會(huì )超過(guò)光刻設備處理能力的極限。為了達到預期良率，實(shí)現單位字節成本降低的路線(xiàn)圖，將應力引起的畸變降至最低至關(guān)重要。伴隨VECTOR DT和EOS GS產(chǎn)品的推出，我們擴大了現有的應力管理解決方案組合，能夠全面管理晶圓生產(chǎn)中的應力，支持客戶(hù)縱向技術(shù)的持續發(fā)展?！?/p>