Intel繼續“打磨”22nm工藝 生產(chǎn)超強壽命RRAM芯片

隨著(zhù)Intel在本月開(kāi)始出貨10nm工藝處理器，Intel在先進(jìn)半導體工藝上將轉向14nm為主、10nm加速量產(chǎn)及推進(jìn)7nm落地。除了這些工藝之外，Intel之前還有一些工廠(chǎng)是生產(chǎn)22nm工藝的，它們也不可能完全淘汰或者升級到7nm，所以2017年Intel推出了22FFL工藝。

22FFL是Intel結合22nm及14nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)的一種改良版工藝，FFL中的L代表Low Leakage，漏電流更低，指標位于兩種工藝之間，晶體管密度為1880萬(wàn)晶體管/平方毫米，略好于22nm工藝，但它的優(yōu)勢在于功耗低，成本也低，畢竟22nm工藝量產(chǎn)這么多年了。

22FFL工藝不會(huì )用來(lái)生產(chǎn)先進(jìn)處理器了，但它會(huì )在別的芯片上找到自己的位置，此前Intel宣布使用22FFL工藝生產(chǎn)了MRAM（磁阻RAM），現在VLSI 2019大會(huì )上，Intel又提到了22FFL工藝已經(jīng)準備好生產(chǎn)RRAM（可變電阻RAM）。

不論是MRAM還是RRAM芯片，它們的特性都是超強性能，延遲堪比內存，而且是超長(cháng)壽命及可靠性，寫(xiě)入次數都是上萬(wàn)次起的，耐高溫，壽命長(cháng)達10多年，但是現在的問(wèn)題就是這些芯片的容量都很低，通常是256Mb、512Mb，有些能上到1Gb左右，反正相比常規的RAM及NAND還差很遠。