3D封裝技術(shù)英特爾有何獨到之處
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編者按：在半導體領(lǐng)域，3D技術(shù)帶來(lái)的革命更嘆為觀(guān)止，早些年的FinFET和3D NAND只是個(gè)開(kāi)始。從去年12月初英特爾公布新架構路線(xiàn)，到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整臺電腦，這樣的速度，你不得不更上!
多IP組合靈活(異構)，并且占用面積小、功耗低，是Foveros最顯著(zhù)的特點(diǎn)。特別是結合上英特爾10nm制程，摩爾定律從晶體管密度(2D)到空間布局(3D)兩個(gè)維度得到延續。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201901/397133.htmLakefield是英特爾在CES 2019上披露的全新客戶(hù)端平臺的代號，該平臺支持超小型主板，有利于 OEM 靈活設計，打造各種創(chuàng )新的外形設計。該平臺采用英特爾異構 3D封裝技術(shù)，并具備英特爾混合CPU架構功能。借助Foveros，英特爾可以靈活搭配3D堆疊獨立芯片組件和技術(shù)IP模塊，如I/O和內存?；旌螩PU架構將之前分散獨立的CPU內核結合起來(lái)，支持各自在同一款10nm產(chǎn)品中相互協(xié)作：高性能Sunny Cove內核與4個(gè)Atom內核有機結合，可有效降低能耗。英特爾宣布預計將于2019年下半年推出使用這種全新3D堆疊技術(shù)的產(chǎn)品。
這顆Foveros 3D封裝技術(shù)打造的硬幣大小的芯片，從下至上，依次是封裝基底(Package)、底層芯片(Bottom Chip)、中介層(Active Interposer，中介層上的上層芯片可以包括各種功能，如計算、圖形、內存、基帶等。中介層上帶有大量特殊的TSV 3D硅穿孔，負責聯(lián)通上下的焊料凸起(Solder Bump)，讓上層芯片和模塊與系統其他部分通信。
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