3D封裝技術(shù)英特爾有何獨到之處

　　立體種植晶體管，對不起，暫時(shí)還不能。3D封裝說(shuō)得很清楚，就是在空間中而不是平面化封裝多個(gè)芯片。也許你會(huì )說(shuō)，這有什么新鮮的，芯片堆疊技術(shù)不是老早之前就被廣泛使用了么，無(wú)論是DRAM還是NAND，都已廣泛采用堆疊技術(shù)，特別是NAND已經(jīng)從128層甚至更多層邁進(jìn)。而智能手機所使用的SiP芯片，也是將SoC與DRAM堆疊在一起的。

　　DRAM/NAND堆疊相對簡(jiǎn)單，由于各層半導體功能特性相同，無(wú)論是地址還是數據，信號可以縱穿功能完全相同的不同樓層，就像是巨大的公寓樓中從底到頂穿梭的電梯。存儲具有Cell級的高度相似性，同時(shí)運行頻率相對不高，較常采用這種結構。

　　SoC和DRAM芯片的堆疊，采用了內插器或嵌入式橋接器，芯片不僅功能有別，而且連接速度高，這樣的組合甚至可以完成整個(gè)系統功能，因此叫SiP(System in Package)更準確。SiP封裝足夠小巧緊湊，但是其中功能模塊十分固定，難以根據用戶(hù)需要自由組合IP模塊，也就是配置彈性偏低。

　　在去年年初，英特爾推出Kaby Lake-G令人眼前一亮，片上集成AMD Vega GPU和HBM2顯存的Kaby Lake-G讓EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)封裝技術(shù)進(jìn)入人們眼簾，而該技術(shù)還只是2D封裝，也就是所有芯片在一個(gè)平面上鋪開(kāi)。

　　現在，英特爾已準備好將3D封裝引入主流市場(chǎng)，也就是Foveros。Foveros 3D封裝將多芯片封裝從單獨一個(gè)平面，變?yōu)榱Ⅲw式組合，從而大大提高集成密度，可以更靈活地組合不同芯片或者功能模塊。