碳化硅mosfet 文章進(jìn)入碳化硅mosfet技術(shù)社區

東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅動(dòng)信號源極端使用開(kāi)爾文連接，有助于減少封裝內源極線(xiàn)電感的影
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【2023 年 7 月 19 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 兩款符合汽車(chē)規格的碳化硅 (SiC) MOSFET，進(jìn)一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產(chǎn)品陣容。此系列 N 信道 MOSFET 產(chǎn)品可滿(mǎn)足市場(chǎng)對 SiC 解決方案不斷增長(cháng)的需求，提升電動(dòng)與混合動(dòng)力汽車(chē) (EV/HEV) 車(chē)用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車(chē)載充電器 (OBC)、高效 DC
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今年第一季度， Littelfuse的碳化硅MOSFET產(chǎn)品在國內某光伏系統項目投標成功，該產(chǎn)品被成功應用于三相太陽(yáng)能逆變器輔助電源電路。Littelfuse 的設計方案再次被市場(chǎng)認可，取得長(cháng)期合作機會(huì )。 ?Littelfuse作為深耕功率控制、電路保護和傳感器產(chǎn)品與服務(wù)近百年歷史的專(zhuān)業(yè)供應商，很早就關(guān)注并投入可再生能源應用的研發(fā)，時(shí)至今日，眾多的產(chǎn)品系列如碳化硅、TVS二極管、溫度傳感器、IGBT、壓敏電阻、門(mén)驅動(dòng)等已被全球核心客戶(hù)所采用，光伏逆變器是其中一個(gè)重要的應用。 ?從
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6月29日，“5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟第一次理事會(huì )”在昆明順利召開(kāi)。中國科學(xué)院院士郝躍、工業(yè)與信息化部電子信息司調研員吳國綱，以及包括基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士在內的來(lái)自全國各地20多家聯(lián)盟理事單位代表參加了此次會(huì )議。會(huì )議討論并通過(guò)了聯(lián)盟章程、下一步運營(yíng)和發(fā)展規劃等預定議程，推選中國科學(xué)院院士郝躍先生、深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司董事總經(jīng)理曾學(xué)忠先生分別擔任首屆聯(lián)盟理事長(cháng)和常務(wù)理事長(cháng)，任命高新興集團執行副總裁樊曉兵先生擔任首屆聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)。同時(shí)，中國電信、中國移動(dòng)、中國聯(lián)通、清華大學(xué)深圳國際研究生院、南方科技大學(xué)、西
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　　新年伊始，基本半導體正式發(fā)布國內首款擁有自主知識產(chǎn)權的工業(yè)級碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項性能達到國際領(lǐng)先水平，其中短路耐受時(shí)間更是長(cháng)達6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標志著(zhù)基本半導體在第三代半導體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續領(lǐng)跑全國?！　〗陙?lái)，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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