存儲器價(jià)格降溫？或許只是長(cháng)達18個(gè)月的“美夢(mèng)”

　　從2016年第二季度開(kāi)始，存儲器價(jià)格一路飆升，每個(gè)季度都在刷新著(zhù)銷(xiāo)售額紀錄。

　　這一波漲價(jià)趨勢，也著(zhù)實(shí)“養肥”了不少存儲器大廠(chǎng)。根據市場(chǎng)分析機構IC insights最新的報告顯示，三星憑借著(zhù)強勢的存儲器業(yè)務(wù)已經(jīng)力壓英特爾，連續兩年坐上了半導體銷(xiāo)售排行榜的龍頭寶座。此外，今年SK 海力士也是憑借其存儲業(yè)務(wù)，將臺積電擠下了前三的位置。

　　一方面，這一波漲價(jià)潮讓存儲器廠(chǎng)商獲利不少，但同時(shí)也讓終端廠(chǎng)商嘗到了切膚之痛，成本大增，利潤降低了不少。

　　現在廠(chǎng)商和消費者們終于熬到了頭，近日，市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange指出，10月份的DRAM合約價(jià)已經(jīng)正式走跌，除了宣告DRAM價(jià)格漲勢告一段落，供過(guò)于求加上高庫存水位的影響將導致價(jià)格跌幅劇烈。

　　存儲器價(jià)格為什么開(kāi)始下降?

　　2017年底到2018年發(fā)生了什么，為什么存儲器的價(jià)格會(huì )有所下降?主要有以下幾點(diǎn)原因。

　　一是，市場(chǎng)對存儲器的需求有所放緩。集微網(wǎng)記者了解到，英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價(jià)格下跌造成的中低端挖礦機需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成的中低端手機銷(xiāo)售不佳，造成明年內存DRAM和閃存NAND預計將會(huì )有3-5%的供過(guò)于求。

　　二是，由于前兩年價(jià)格一路看漲的趨勢，各大內存廠(chǎng)產(chǎn)能“剎不住車(chē)”，導致NAND Flash快閃存儲器和DRAM價(jià)格開(kāi)始持續走低，終結了持續兩年的市場(chǎng)供應緊俏狀況。

　　三是，從2016年開(kāi)始，全球各大存儲芯片廠(chǎng)商紛紛開(kāi)始升級，而供不應求的情況正是出現在技術(shù)轉換期內。而現在，隨著(zhù)三星開(kāi)始量產(chǎn)96層3D NAND芯片，東芝、西數也宣布量產(chǎn)96層QLC閃存顆粒等，也宣告技術(shù)轉換期的結束。

　　四是，來(lái)自客戶(hù)的壓力。手機廠(chǎng)商貢獻了全球三分之一的存儲芯片需求，許多手機廠(chǎng)商一直在對存儲器供應商施壓，想讓他們降低價(jià)格。

　　存儲器價(jià)格下降預計不超過(guò)18個(gè)月

　　然而，即便是近期存儲器的價(jià)格有所放緩，手機廠(chǎng)商們也不用太高興。據業(yè)內人士分析，此次價(jià)格下降趨勢預計不超過(guò)18個(gè)月。

　　據了解，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會(huì )于明年中之前改善，10納米x86 CPU應于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU，7納米挖礦機及智能手機，5G手機等都將于明年上市取代中低端機型及對存儲器半導體產(chǎn)生正面影響。因此可以預估大多數的內閃存存儲器半導體公司會(huì )面對營(yíng)業(yè)利潤率從近50%的高位下滑，但卻不至于步入虧損。

　　并且，存儲器廠(chǎng)商們也有進(jìn)行一定的措施防止價(jià)格下滑太嚴重。

　　近日，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士表示，為了應對2019年包括NAND Flash快閃存儲器及DRAM的價(jià)格下跌，公司決定不但將自2018年底前開(kāi)始減少投資規模，還將監控并調整2019年的產(chǎn)能。

　　同時(shí)，韓媒Digital Daily報道也稱(chēng)，三星電子降低了利潤較低的移動(dòng)DRAM生產(chǎn)比重，提高了利潤更高的DRAM供給，并且今年不會(huì )再進(jìn)行DRAM和NAND Flash的新產(chǎn)線(xiàn)投資。

　　而另一個(gè)內存大廠(chǎng)美光由于存儲器需求和價(jià)格同步下滑，將會(huì )囤積庫存，以放緩其價(jià)格下跌的速度。根據美光的說(shuō)法，控制產(chǎn)能之外還會(huì )加速研發(fā)，以此來(lái)?yè)屨嘉磥?lái)DRAM的高端市場(chǎng)，其16Gb DDR5芯片會(huì )在2019年底量產(chǎn)，基于18nm以下工藝，這就意味著(zhù)，搭載DDR5內存模組的系統最快2020年面世。

　　“趕了個(gè)晚集”的中國廠(chǎng)商

　　但是，中國廠(chǎng)商似乎并沒(méi)有嘗到漲價(jià)潮的福利。

　　目前，國內存儲器主要依靠進(jìn)口，數據顯示，我國每年進(jìn)口的存儲器金額約為600億美元。存儲器可以說(shuō)是扼住了中國半導體發(fā)展的咽喉。為此，國家下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。

　　國產(chǎn)存儲器廠(chǎng)商最近一段時(shí)間更是沒(méi)有閑著(zhù)，在國內呼喚芯片等科技自主的聲音里，早就開(kāi)始加快科研與投產(chǎn)進(jìn)度。雖然還沒(méi)有給傳統存儲器廠(chǎng)商帶來(lái)實(shí)質(zhì)影響，但也足夠給存儲器市場(chǎng)帶來(lái)一劑降溫藥。

　　最新的消息來(lái)自于長(cháng)江存儲，其32層3D NAND將于今年底前投入量產(chǎn)，也就是現在了，并要爭取實(shí)現每月30萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能。另外，兩天前爆出消息，有業(yè)界人士透露，長(cháng)江存儲Xtacking架構的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進(jìn)行測試，讀寫(xiě)質(zhì)量大致穩定，預計最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長(cháng)江存儲更計劃在2020年跳過(guò)96層3D NAND，直接進(jìn)入128層堆疊。

　　在產(chǎn)能方面，長(cháng)江存儲武漢存儲基地一期已經(jīng)投入生產(chǎn)，原本該工廠(chǎng)計劃的是10萬(wàn)片產(chǎn)能，但實(shí)際可以做到15萬(wàn)。為了進(jìn)一步擴大生產(chǎn)規模，武漢存儲基地二期和紫光成都存儲器制造基地已經(jīng)開(kāi)工，正在不斷擴大生產(chǎn)規模。

　　福建晉華最近則是傳出了不好的消息。由于與聯(lián)電有緊密的合作關(guān)系，共同研發(fā)DRAM，當被卷入聯(lián)電與美光的知識產(chǎn)權糾紛時(shí)，麻煩隨之而來(lái)，美國政府找各種理由，禁止美國等半導體設備廠(chǎng)商將相關(guān)設備和技術(shù)出售給福建晉華，隨之而來(lái)的是，聯(lián)電也中止了與晉華的合作。

　　合肥長(cháng)鑫方面，則是在今年7月正式投片了DRAM，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。這也是第一個(gè)中國大陸自主研發(fā)的DRAM芯片。

　　現在，國內存儲器廠(chǎng)商真正“見(jiàn)真功”和“花大錢(qián)”的時(shí)候到了。不過(guò)目前來(lái)看，國內三大存儲器廠(chǎng)商由于技術(shù)原因，與國際大廠(chǎng)的差距還很明顯，想要趕上漲價(jià)潮的紅利還需努力!