Soitec絕緣硅晶圓成為瑞薩新型SOTBTM能量收集芯片組中核心成員

　　作為設計和生產(chǎn)創(chuàng )新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產(chǎn)品線(xiàn)專(zhuān)用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產(chǎn)。至此，瑞薩新型基于SOTBTM技術(shù)的芯片克服了物聯(lián)網(wǎng)設備的能源限制，并將功耗降低到目前市場(chǎng)現有產(chǎn)品的十分之一，更加適用于超低功率和能量采集應用。

　　瑞薩利用其獨特的SOTB工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)出能量收集芯片，該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機電流。 該產(chǎn)品超低功率性能使其可以在端點(diǎn)幫助連接物聯(lián)網(wǎng)傳感設備實(shí)現免維護功能。對于從事芯片安裝工藝的消費電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商而言，如何通過(guò)這些傳感器節點(diǎn)內的能量收集功能設計免維護設備，特別是在可穿戴設備、智能家居應用、手表、便攜式設備和基礎設施監控系統中實(shí)現免維護功能，變得越來(lái)越重要。

　　瑞薩選擇Soitec襯底作為其超薄而均勻的活性層，該襯底是目前在大批量生產(chǎn)的薄晶硅(SOI)下最薄埋氧化物(BOX)。 由于使用了Soitec襯底，瑞薩SOTB芯片組可以增強對晶體管靜電的控制，并將待機和有效電流降低到前所未有的水平。 此外，瑞薩還成功交付了無(wú)障礙通道，以抑制超低電壓操作的Vth變化，以及超低功率反偏置控制，同時(shí)降低待機電流。

　　Soitec數字電子業(yè)務(wù)部執行副總裁Christophe Maleville表示： “Soitec與瑞薩團隊在SOTB技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的緊密合作進(jìn)一步表明全耗盡設備將徹底改變我們的日常生活。我們很高興能成為瑞薩SOTB系列產(chǎn)品中的一員。我們也期待在推動(dòng)超低功率設備創(chuàng )新這個(gè)生態(tài)系統成長(cháng)方面貢獻自己的綿薄之力?！?/p>

　　瑞薩工業(yè)解決方案業(yè)務(wù)部家庭業(yè)務(wù)部副總裁Toru Moriya先生表示：“為了推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)和消費應用的創(chuàng )新，我們將我們獨有的能量收集技術(shù)SOTB集成到我們的能量收集控制器中。我們相信，基于Soitec超薄襯底的瑞薩SOTB技術(shù)可以為開(kāi)發(fā)無(wú)需電源供應和更換的免維護物聯(lián)網(wǎng)設備提供無(wú)與倫比的性能，從而促進(jìn)基于端點(diǎn)智能的全新物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的發(fā)展?！?/p>