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Soitec絕緣硅晶圓成為瑞薩新型SOTBTM能量收集芯片組中核心成員
- 作為設計和生產(chǎn)創(chuàng )新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產(chǎn)品線(xiàn)專(zhuān)用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產(chǎn)。至此，瑞薩新型基于SOTBTM技術(shù)的芯片克服了物聯(lián)網(wǎng)設備的能源限制，并將功耗降低到目前市場(chǎng)現有產(chǎn)品的十分之一，更加適用于超低功率和能量采集應用?！ ∪鹚_利用其獨特的SOTB工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)出能量收集芯片，該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機電流。 該產(chǎn)品超低功率性能使其可以在端點(diǎn)幫
- 關(guān)鍵字： SOTBTM 晶圓
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