存儲器產(chǎn)線(xiàn)加速半導體產(chǎn)能擴展

　　根據市場(chǎng)研究公司IC Insights的資料，新的半導體制造產(chǎn)線(xiàn)——特別是DRAM存儲器的導入，預計將推動(dòng)2018年和2019年的晶圓總產(chǎn)能高于平均水準。

　　IC Insights最新的全球晶圓產(chǎn)能報告顯示，2018年和2019年晶圓產(chǎn)能預計將成長(cháng)8%，較2018年至2019年間晶圓產(chǎn)業(yè)的年平均成長(cháng)更高約5%。

　　去年由于DRAM和NAND閃存庫存短缺導致價(jià)格上漲，這使得半導體產(chǎn)業(yè)的銷(xiāo)售額首次突破了4,000億美元。據世界半導體貿易統計組織(WSTS)統計，去年存儲器營(yíng)收成長(cháng)了61.5%，其中，DRAM銷(xiāo)售額增加76.8%，NAND銷(xiāo)售額則增加了47.5%。

　　IC Insights表示，韓國三星電子(Samsung Electronics)和海力士(SK Hynix)都計劃在2018、2019年提高DRAM產(chǎn)能。除了美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)和中國長(cháng)江存儲科技(Yangtze River Storage Technology)，這些存儲器廠(chǎng)商也計畫(huà)在未來(lái)幾年大幅提升3D NAND閃存容量。

　　根據IC Insights的資料，從2017年到2022年，晶圓產(chǎn)能預計每年將成長(cháng)6%。

　　IC Insights表示，如果2019年規劃的新產(chǎn)能按計劃上線(xiàn)，該年度所增加的半導體制造產(chǎn)能將達到相當于2007年創(chuàng )紀錄的1,800萬(wàn)片晶圓。IC Insights認為，這一預估數字是在假設中國的NAND產(chǎn)能將較預期更慢的前提下統計而來(lái)的。(編按：IC Insight先前曾估計中國在自行研發(fā)的3D NAND量產(chǎn)之前會(huì )先遇到大規模的專(zhuān)利訴訟問(wèn)題，以至量產(chǎn)時(shí)間延后。參考閱讀：中國拼存儲器得先打專(zhuān)利戰?)