三星宣布量產(chǎn)第二代10LPP制程，性能增10%功耗降15%

　　據三星電子于11月29日宣布，開(kāi)始大規模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)(10LPP)為基礎的單芯片系統(SoC)產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統的電子產(chǎn)品，也預計將在2018年首季問(wèn)市。

　　三星表示，針對低功耗產(chǎn)品所研發(fā)的10LPP技術(shù)，相較于第1代的10LPE，10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于該制程是延續于已經(jīng)量產(chǎn)中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開(kāi)發(fā)到大量生產(chǎn)的準備時(shí)間，并提供更高的初期生產(chǎn)良率，因此更具有市場(chǎng)競爭優(yōu)勢。

　　三星進(jìn)一步表示，采用10LPP制程技術(shù)制造的產(chǎn)品，預計將于2018年首季推出相關(guān)的電子產(chǎn)品。三星電子代工市場(chǎng)行銷(xiāo)副總裁RyanLee表示，通過(guò)從10LPE制程向10LPP制程的邁進(jìn)，三星將能夠更好地為客戶(hù)提供服務(wù)，同時(shí)提高性能，提高初期產(chǎn)量。

　　同時(shí)，三星宣布，位于韓國華城的最新S3生產(chǎn)線(xiàn)，目前正準備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。S3是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠(chǎng)，其它2座分別是位于韓國京畿道的器興(Giheung)的S1，以及位于美國奧斯汀的S2。根據規劃，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV(ExtremeUltraViolet)技術(shù)也預計將在S3晶圓廠(chǎng)中于2018年開(kāi)始大量生產(chǎn)。

　　IC Insights近日發(fā)布指出，三星今年在半導體產(chǎn)業(yè)支出達到260億美元，是去年支出的兩倍還多，其中用于晶圓代工/其他的資本支出達50億美元，專(zhuān)門(mén)用于提升10納米制程能力。目前來(lái)看進(jìn)展順利，有消息稱(chēng)，三星 8nm LPP 制程工藝的技術(shù)驗證工作也已完成，將于不久之后大規模量產(chǎn)。三星表示，相比于 10nm 制程，全新 8nm 制程的芯片不僅面積能縮減 10%，功耗也能降低10%。該工藝正式投產(chǎn)后，將會(huì )定位于高端旗艦市場(chǎng)。至于具體商用時(shí)間，三星表示會(huì )在隨后于全球各地舉行的三星半導體論壇上與 7nm EUV 光刻工藝進(jìn)展一同公布。