國家存儲器基地一號廠(chǎng)房提前封頂 2018年將投入使用

　　總投資240億美元的國家存儲器基地項目(一期)的一號生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房9月28日實(shí)現提前封頂，預計2018年投入使用。全面建成后，該項目年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

　　國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來(lái)科技城，一期工程于2016年12月30日正式開(kāi)工建設，規劃3座全球單座潔凈面積最大的廠(chǎng)房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠(chǎng)房和設備每平方米的投資強度超過(guò)3萬(wàn)美元。

　　國家存儲器基地項目是新中國成立以來(lái)湖北省單體投資最大的高科技產(chǎn)業(yè)項目，項目一期達產(chǎn)后，預計可實(shí)現月產(chǎn)能30萬(wàn)片12寸晶圓，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元，到2030年月產(chǎn)能提升至100萬(wàn)片。

　　據介紹，存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規模經(jīng)濟效益和先進(jìn)制造工藝，同時(shí)也是中國進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。國家存儲器項目落戶(hù)武漢，填補了此前國內集成電路產(chǎn)業(yè)的一塊空白。

　　目前，武漢東湖高新區已為國家存儲器基地項目規劃建設1100畝配套產(chǎn)業(yè)園區和1500畝國際社區用地，正在加快引進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈頂級配套企業(yè)和國際化人才。同時(shí)加快建設武漢國際微電子學(xué)院，組建長(cháng)江芯片研究院、國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心、存儲芯片聯(lián)盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心。