意法半導體600V超結功率模塊引入新封裝和新功能，簡(jiǎn)化電機驅動(dòng)電路設計

　　意法半導體新推出的SLLIMM?-nano智能功率模塊(IPM)引入新的封裝類(lèi)型，并集成更多元器件，加快300W以下低功率電機驅動(dòng)器研發(fā)，簡(jiǎn)化組裝過(guò)程。

　　3A和5A 模塊內置當前最先進(jìn)的600V超結MOSFET，最大限度提升空氣壓縮機、風(fēng)扇、泵等設備的能效。各種直列引腳或Z形引腳封裝有助于優(yōu)化空間占用率，確保所需的引腳間距。內部開(kāi)孔選項讓低價(jià)散熱器的安裝更容易。此外，發(fā)射極開(kāi)路輸出分開(kāi)設計可簡(jiǎn)化PCB板單路或三路Shunt (分流電阻)電流監視走線(xiàn)。

　　每個(gè)IPM模塊都包含由六支MOSFET組成的三相半橋和一個(gè)高壓柵驅動(dòng)芯片。新增功能有助于簡(jiǎn)化保護電路和防錯電路設計，包括一個(gè)用于檢測電流的未使用的運放、用于高速錯誤保護電路的比較器和用于監視溫度的可選的NTC (負溫度系數)熱敏電阻，還集成一個(gè)自舉二極管，以降低物料清單(BOM)成本，簡(jiǎn)化電路板布局設計。智能關(guān)斷電路可保護功率開(kāi)關(guān)管，欠壓鎖保護(UVLO)預防低Vcc或Vboot電壓引起的功能失效。

　　超結MOSFET在25°C時(shí)通態(tài)電阻只有1.0?，最大 1.6? ，低電容和低柵電荷可最大限度降低通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升20kHz以下硬開(kāi)關(guān)電路的能效，包括各種工業(yè)電機驅動(dòng)器，準許低功率應用無(wú)需使用散熱器。此外，優(yōu)化的開(kāi)關(guān)di/dt和dV/dt上升速率確保EMI干擾處于一個(gè)較低的級別，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路的設計布局。

　　新模塊的最高額定結溫是150°C，取得了UL 1557認證，電絕緣級別高達1500Vrms/min。

　　意法半導體的SLLIMM?-nano模塊即日起投產(chǎn)，3A STIPQ3M60T-HL直列引腳封裝或STIPQ3M60T-HZ Z形引腳封裝批量訂購。

　　產(chǎn)品詳情查詢(xún)www.st.com/ipm