三星砸54億美元、7納米提前建廠(chǎng)

　　三星電子決定提前興建南韓華城的18號線(xiàn)，提高競爭力搶單。

　　韓媒BusinessKorea 19日報導，三星華城廠(chǎng)的18號線(xiàn)原定明年動(dòng)工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線(xiàn)的建筑面積為40,536平方公尺，總樓面面積為298,114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元)，預定2019年下半完工，生產(chǎn)存儲器以外的半導體產(chǎn)品。

　　華城廠(chǎng)為綜合晶圓廠(chǎng)，生產(chǎn)DRAM、3D NAND flash、系統半導體等。18線(xiàn)將裝設數十臺先進(jìn)晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機臺。三星提前施工，顯示該公司有意強化晶圓代工競爭力。三星今年把晶圓代工部門(mén)獨立出來(lái)，大舉投資，并放話(huà)搶市。

　　路透社7月25日報導，南韓三星電子副社長(cháng)、擔任5月份新設立的晶圓代工事業(yè)部負責人的E.S. Jung 24日接受專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，除了大型企業(yè)之外、也將搶攻中小型客戶(hù)，目標在5年以?xún)葘⒕A代工市場(chǎng)份額擴增至現行的3倍、提高至25%的水準。Jung指出，“希望能成為晶圓代工市場(chǎng)上強大的第2把交椅”。

　　BusinessKorea、Korea Economic Daily、韓聯(lián)社報導，三星晶圓代工共有三個(gè)廠(chǎng)區，S1廠(chǎng)在南韓器興(Giheung)、S2廠(chǎng)在美國德州奧斯汀、S3在南韓華城(Hwaseong)。S3預定今年底啟用，將生產(chǎn)7、8、10納米制程晶圓。

　　去年底數據顯示，全球晶圓代工龍頭是臺積電、聯(lián)電排名第二、美國格羅方德(Global Foundry)名列第三、三星電子雖是小四，但是正急起直追。IHS Market數據顯示，2016年三星晶圓代工營(yíng)收為45.18億美元，較2015年大增78.6%。

　　韓媒The Investor 6月27日報導，6月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯汀廠(chǎng)，該廠(chǎng)房負責制造用于移動(dòng)設備的系統單芯片(SoC)等。PhoneArena消息顯示，奧斯汀廠(chǎng)是蘋(píng)果A系列處理器的重要生產(chǎn)基地。

　　三星同時(shí)公布了晶圓代工的發(fā)展路徑，當前主力為第二代10納米FinFET，今年準備進(jìn)一步研發(fā)8納米，2018年進(jìn)入7納米，2020年轉入4納米。據傳三星將跳級研發(fā)6納米制程，預定2019年量產(chǎn)。

　　半導體業(yè)界透露，三星提前動(dòng)土，也要用最先進(jìn)的設備，切入7nm以下制程，全力搶食邏輯芯片代工訂單，而且目標直指臺積電大客戶(hù)蘋(píng)果的下世代A12處理器。

　　消息指出，三星可能挾掌握全球超過(guò)九成以上OLED面板產(chǎn)能的優(yōu)勢，逼迫蘋(píng)果調整代工策略，將A12部分訂單交給三星，但這部分未獲三星高層證實(shí)。 三星將晶圓代工成立事業(yè)部后，曾宣示要在五年內將晶圓代工市占率擴增至現行的三倍，提高至25%的水平。

　　產(chǎn)業(yè)分析師指出，目前臺積電7nm制程至少已有12個(gè)移動(dòng)設備產(chǎn)品設計定案，還有從三星搶回來(lái)的高通訂單，在7nm戰役至少還領(lǐng)先三星一至二年以上。

　　臺積電為回擊三星在7nm全數導入極紫外光(EUV)作為曝光利器，也決定在7nm強化版提供EUV解決方案，鞏固客戶(hù)。 這項制程并訂2019年下半年量產(chǎn)，和三星進(jìn)度相近。

　　此外，臺積電在5nm制程將全數導入EUV，目前5nm生產(chǎn)重鎮規劃在南科，相關(guān)建廠(chǎng)作業(yè)已經(jīng)展開(kāi)，預定2020年量產(chǎn)。

　　臺積電董事長(cháng)張忠謀曾說(shuō)過(guò)，對競爭對手英特爾與三星，一直列為雷達上的勁敵。 因此，內部高度警戒，絕不讓三星有任何見(jiàn)縫插針的機會(huì )，尤其防止機密外泄比以前更嚴密。