中國半導體要自強 設備產(chǎn)業(yè)四關(guān)待過(guò)

　　根據SEMI的調查，2017年全球半導體設備市場(chǎng)的規模為462.5億美元，如果中國大陸想在全世界占有30%的市場(chǎng)，相關(guān)的設備年投資金額，必須達到140億美元以上。

　　但根據SEMI的調查，2016年中國半導體設備的總投資金額為64.6億美元，2017年估計為65.8億美元，但這個(gè)數字的背后，其實(shí)真正來(lái)自中國本土公司的投資金額分別為22億美元、47億美元，分別占中國境內半導體設備總投資金額的34.1%與71.4%。其余的投資金額，主要來(lái)自三星西安、海力士無(wú)錫與英特爾在大連晶圓廠(chǎng)的投資。

　　這幾年，SemiconChina之所以紅紅火火，主要的原因不是現在的市場(chǎng)，而是各界看好中國在未來(lái)的投資。根據SEMI的調查，中國本土半導體產(chǎn)業(yè)的設備投資，將在2018年~2020年間達到新的境界，預計的投資金額分別為108億美元、110億美元、172億美元。亦即，關(guān)鍵年度將在2018年，如果中國半導體設備的投資金額果真達到100億美元的門(mén)坎，那中國就不是「光說(shuō)不練」的半導體新秀，而是將挑戰全球頂級商機的角逐者。

　　其次，目前先進(jìn)的半導體設備，依舊掌握在歐美日大廠(chǎng)手上，如果中國不能在上游設備上有所突破，或者將來(lái)受制于歐美先進(jìn)國家以限制設備出口來(lái)箝制的話(huà)，中國半導體產(chǎn)業(yè)很可能只能在停滯在28nm以前的技術(shù)工藝。以1,500億美元打造一個(gè)老舊工藝為主的半導體產(chǎn)業(yè)，當然是一件不上算的投資，但就像華力微資深副總裁舒奇說(shuō)的，中國是大國，半導體是國家戰略物資，中國難為也得全力以赴。

　　中國半導體設備產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷“四大挑戰”

　　中國國內已經(jīng)形成完備的半導體設備產(chǎn)業(yè)，在封測和LED設備領(lǐng)域，中國產(chǎn)替代化比例逐漸升高;但在技術(shù)要求苛刻的晶圓制造領(lǐng)域，目前還主要依賴(lài)進(jìn)口設備。高端制造設備的乏力與中國高速增長(cháng)的市場(chǎng)需求不相匹配，2015年中國半導體設備市場(chǎng)需求約49億美元，占全球市場(chǎng)14%，而2015年中國國內前十大半導體設備廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額約為38億人民幣，占全球半導體設備市場(chǎng)份額不足2%，基本處于可忽略的境地，國產(chǎn)半導體設備的尷尬處境急需轉變。中國半導體設備產(chǎn)業(yè)也正經(jīng)歷著(zhù)“四大挑戰”。

　　中國半導體設備的關(guān)鍵零部件受制于人：以光刻機為例，光刻機中的核心鏡頭部件主要來(lái)源于日本的NIKON、德國的Zessi，現實(shí)情況，美日的盟國既可以購買(mǎi)高科技半導體產(chǎn)品，也可以購買(mǎi)高科技半導體設備及核心零部件。一直以來(lái)，美國等發(fā)達國家對中國高端技術(shù)的引進(jìn)都保持封鎖態(tài)度，中國等非盟國團體雖然可以購買(mǎi)設備和技術(shù)，但最先進(jìn)的技術(shù)設備都會(huì )被列入禁運名單，一般只會(huì )允許落后兩代左右的技術(shù)登陸，核心技術(shù)及關(guān)鍵零部件進(jìn)口難度可想而知。

　　短期內，核心零件技術(shù)突破并不實(shí)際，那么透過(guò)外交干涉來(lái)解決核心零件進(jìn)口問(wèn)題將成為關(guān)鍵，如何處理中美、中日等復雜的國際關(guān)系是擺在中國政府面前的一大挑戰。2016年9月3日，十二屆全國人大常委會(huì )第二十二次會(huì )議審議批準了“中華人民共和國加入世界貿易組織關(guān)稅減讓表修正案”，審議指出，中國將逐步取消包括半導體及其生產(chǎn)設備、通訊等資訊技術(shù)產(chǎn)品的關(guān)稅，部分產(chǎn)品進(jìn)口關(guān)稅計劃3至5年內降為零，中國此舉不僅表明了在支持WTO體制的一貫立場(chǎng)，也體現了中國政府直面挑戰的決心和大國魄力。

　　巨頭壟斷，設備推廣面臨挑戰：相對于中國產(chǎn)光刻機的步履維艱，中國產(chǎn)氧化爐、刻蝕機與薄膜沉積設備已初現活力，中國產(chǎn)設備正逐漸打入中芯國際、華力微電子、三安光電、武漢新芯等中國一線(xiàn)廠(chǎng)商。七星電子的12英寸立式氧化爐，制程覆蓋90~28nm，已通過(guò)生產(chǎn)線(xiàn)驗證并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，目前已銷(xiāo)售10臺(包括2臺中芯國際B2的28nm氧化爐);北方微電子在LED和MEMS領(lǐng)域刻蝕機市場(chǎng)，以及先進(jìn)封測領(lǐng)域的PVD市場(chǎng)，國內占有率已超過(guò)50%，領(lǐng)先海外競爭對手;中微半導體的電介質(zhì)刻蝕設備、TSV刻蝕設備也已走出國門(mén)。然而整體來(lái)看，全球半導體設備由寡頭壟斷已久的局面仍未改變，在中國政策與資金等多方面資源的強力支持下，中國產(chǎn)半導體設備將繼續挑戰提升在中國及國際市場(chǎng)的滲透率。

　　出貨量少，產(chǎn)線(xiàn)機臺驗證低效：一臺設備從研發(fā)到樣機進(jìn)廠(chǎng)驗證，出廠(chǎng)前需要經(jīng)過(guò)大量芯片的制程實(shí)驗，機臺在這個(gè)過(guò)程中多次重復并不斷改型優(yōu)化，最后在測算平均無(wú)故障時(shí)間達標后方能定型。如此高昂的制程試驗線(xiàn)費用，設備企業(yè)在沒(méi)有出貨量的保障下是負擔不起的。為此，中國對下游制造企業(yè)進(jìn)行更多補貼，由制造企業(yè)的產(chǎn)線(xiàn)來(lái)幫助設備企業(yè)進(jìn)行機臺試驗，這就意味著(zhù)當制造企業(yè)滿(mǎn)負荷運轉的情況下，還需要另外抽出人員、精力來(lái)進(jìn)行機臺試驗，而這些對于制造廠(chǎng)的產(chǎn)能是沒(méi)有貢獻的，制造企業(yè)的積極性未能調動(dòng)起來(lái)，導致產(chǎn)線(xiàn)機臺驗證效率較低。

　　廠(chǎng)商技術(shù)分散，未形成集聚效應：例如在薄膜沉積設備方面，中國有北方微電子、七星華創(chuàng )、中微半導體、拓荊、理想、中科院沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心等企業(yè)和研究所進(jìn)行相關(guān)技術(shù)開(kāi)發(fā)，表面上看，各企業(yè)多點(diǎn)開(kāi)花，實(shí)際情況則面臨技術(shù)分散，大家都只顧做自己的，技術(shù)彼此屏蔽，最終有可能變成惡性競爭態(tài)勢。中國半導體設備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要各設備企業(yè)互相合作，形成合力，這一點(diǎn)可以多向制造、封測產(chǎn)業(yè)學(xué)習，兼并重組是形成規模效應的重要方式。目前，中國半導體設備行業(yè)已有購并重組相關(guān)動(dòng)作，預計后期的步伐會(huì )逐漸加快。