車(chē)用存儲器市場(chǎng)分析
未來(lái)整個(gè)應用可能會(huì )類(lèi)似于大腦的網(wǎng)絡(luò )神經(jīng)(如圖9)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201703/345929.htmISSI會(huì )提供具有DRAM ECC功能產(chǎn)品(圖10)。因為ADAS是非常嚴肅的,對產(chǎn)品的要求非常高。所以ISSI會(huì )提供帶有ECC的功能的DARM。
Cluster(儀表總成)
Tier-one(零部件供應商)占了大部分市場(chǎng)(圖11),本土企業(yè)也非常強。
其中,3.5寸、7寸是主流的應用,還有一些是全尺寸的虛擬表。對于ISSI,從3.5寸到12.3寸都有對應的存儲解決方案。例如瑞薩低端產(chǎn)品采用了ISSI汽車(chē)級的外部256Mb SPI NOR Flash,中斷產(chǎn)品采用了外部的SDR(x32)和SPI NOR Flash,高端采用外部DDR3/3L。
Connectivity Telematics
車(chē)聯(lián)網(wǎng)分為兩塊,一個(gè)是OnStar與福特SYNC,另外是除了前述的兩個(gè)系統以外的系統。
值得一提的是我國上汽推出了一款具有互聯(lián)網(wǎng)功能的榮威RX 5 SUV,具有語(yǔ)音識別功能。
所以總體地,整個(gè)的運算量提升,這對存儲器容量的要求非常高。但此處的存儲器與儀表總成所需的存儲器對安全性的需求是不太相同的。
在TCU(Telematics控制單元)方面,ISSI能夠提供全部SDR產(chǎn)品線(xiàn),汽車(chē)級最大密度達512Mb。
對于小型天線(xiàn)解決方案,ISSI能夠提供靈活的MCP產(chǎn)品線(xiàn)。
關(guān)于ISSI
ISSI今年一季度被兆易創(chuàng )新收購。但是ISSI的整個(gè)策略、銷(xiāo)售渠道和公司狀況都沒(méi)有變,因為其創(chuàng )始人現在仍是ISSI的CEO,也是新公司董事會(huì )的成員。
ISSI是專(zhuān)業(yè)做存儲器的公司,所做的DRAM產(chǎn)品線(xiàn)堪稱(chēng)業(yè)界最全。
去年營(yíng)收3.2億美元,中國市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額約占30%。ISSI公司90%做嵌入式應用存儲(其中汽車(chē)存儲器為55%,汽車(chē)和工控醫療為80%,其他還有醫療等),而競爭對手90%市場(chǎng)來(lái)自移動(dòng)應用(手機、平板、PC等)。
公司存儲器產(chǎn)品溫度適應范圍廣、產(chǎn)品生命周期長(cháng)、高可靠、高品質(zhì),另外,ISSI服務(wù)方面也做得很好,在中國有三個(gè)實(shí)驗室,分別在上海、北京和深圳,可以為客戶(hù)服務(wù)支持。
汽車(chē)用存儲器年均增長(cháng)40%比特(bit)量,成長(cháng)率高于手機(手機為20%成長(cháng))。根據Trendforce報告,2D-NAND Flash 15nm是最后一代制程,而ISSI eMMC中用到MLC NAND flash制程即為15nm,秉承長(cháng)期支持戰略,可保證長(cháng)生命周期。
2016年中國十大車(chē)廠(chǎng)中,除了上汽通用五菱(生產(chǎn)微型面包車(chē)),其他都是ISSI的客戶(hù)。此外,本土品牌的長(cháng)安、吉利、奇瑞等也是ISSI的客戶(hù)。
下一代 ISSI DRAM(DDR3)產(chǎn)品規劃將演進(jìn)到25nm,同時(shí),公司也開(kāi)發(fā)帶有ECC DRAM滿(mǎn)足車(chē)載應用。
關(guān)于車(chē)聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng),IHS統計有三大應用:通用安吉星,福特SYNC,國內俗稱(chēng)的T-Box。在娛樂(lè )導航方面,單顆DDR3 8Gb需求容量已經(jīng)夠大。車(chē)聯(lián)網(wǎng)目前主流方案應用DDR3 1Gb/2Gb,儀表總成的需求也沒(méi)有那么大,2Gb/4Gb DDR3為主流。
車(chē)載市場(chǎng)的特點(diǎn)是現在很激進(jìn),目前主流存儲器用什么,車(chē)載就用什么,不像以前那么保守。有的車(chē)上市半年就改款,更換更炫大屏車(chē)機,那么對存儲器需求增大。相比之下,工控喜歡利用原有資產(chǎn)(legacy,也稱(chēng)遺產(chǎn)),例如5V SRAM還在用,因為工業(yè)應用(例如電梯控制板,醫療等)對人的生命有關(guān),需要進(jìn)行長(cháng)時(shí)間認證,認證成本與cost down下來(lái)成本比例相差不大。
ISSI芯片組
DDR4 SDRAM方面,ISSI能提供的1.2V DDR4最高到1.2GHz(2400MT/s 數據率),2.5V電源。同時(shí),ISSI已經(jīng)開(kāi)始出貨4Gb DDR4樣品。ISSI也是極少數能夠提供工業(yè)和汽車(chē)溫度級的DDR4廠(chǎng)商。
LPDDR3與LPDDR4 SDRAM方面,LPDDR3可達800MHz(1600MT/s)或更高,帶有1.2V或1.8V供電。4Gb正在開(kāi)發(fā)中,計劃今年出貨。
LPDDR4在1600MHz(3.2GT/s)或更高,需要1.1V和1.8V電源電壓。2/4/8Gb正在開(kāi)發(fā)中,計劃2017或2018供貨。用于汽車(chē)的新產(chǎn)品有MCP、ECC DDR3、MMC。
全球e.MMC市場(chǎng)預計將在2020年達到21億個(gè),驅動(dòng)力是移動(dòng)設備。汽車(chē)是增長(cháng)最快的部分,預計2014~2021年器件年均增長(cháng)16.4%。在汽車(chē)部分,信息娛樂(lè )預計年均增長(cháng)20.5%,到2021年將近1.6億個(gè)(圖14)。
ISSI的e.MMC是15nm MLC NAND Flash。密度有4GB~64GB產(chǎn)品,還有高速解決方案。
參考文獻:
[1]邢雁寧.中國半導體存儲器市場(chǎng)前景.電子產(chǎn)品世界,2016(7):4-7
[2]郭祚榮.2016年全球DRAM市場(chǎng)與趨勢分析.電子產(chǎn)品世界,2016(8):3-7
[3]迎九.發(fā)展3D NAND閃存的意義.電子產(chǎn)品世界,2017(2-3):6-7
[4]葉鐘靈.移動(dòng)產(chǎn)品牽引移動(dòng)存儲器.電子產(chǎn)品世界,2014(10):3-6
[5]孫俊杰.高交會(huì )上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向.電子產(chǎn)品世界,2015(1):79
本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第4期第3頁(yè),歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用,并注明出處。
評論