三星 3D NAND 快閃存儲器新廠(chǎng)上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠(chǎng)施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。

　　三星新芯片廠(chǎng)于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠(chǎng)，為三星史上最大單一產(chǎn)線(xiàn)投資項目。據三星表示，新廠(chǎng)第一階段施工目前已完成九成。

　　新芯片廠(chǎng)主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統硬盤(pán)，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。

　　市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭，受惠于供給吃緊、平均報價(jià)(ASP)飆升，三星 NAND 快閃存儲器當季報價(jià)增加 5%、單位出貨量季增 11-15%，推升營(yíng)收成長(cháng)近兩成(19.5%)，市占率來(lái)到 37.1%。

　　東芝同期間 NAND 存儲器市占率達 18.3%，暫居第二。Western Digital 緊追在后，僅差東芝 0.6 個(gè)百分點(diǎn)。