中芯國際超聯(lián)電成為晶圓代工第3大廠(chǎng)商?
有報導稱(chēng),大陸最大晶圓代工業(yè)者中芯國際(SMIC),今年先后宣布14納米制程將在2018年投產(chǎn),以及2016年投資金額提升至25億美元。這兩項指標都超過(guò)了全球第3大晶圓代工業(yè)者聯(lián)電,意味中芯有機會(huì )超過(guò)聯(lián)電,成為全球第3大晶圓代工業(yè)者。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201612/341859.htm報導指出,目前在全球半導體制造工藝上,掌握10納米制程技術(shù)的臺積電是全球晶圓代工業(yè)的領(lǐng)先廠(chǎng)商。
聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)擬引進(jìn)28納米制程 目前仍卡關(guān)
格羅方德(GlobalFoundries)買(mǎi)下三星的14納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù),成為第3家掌握該技術(shù)的晶圓代工廠(chǎng),但該公司虧損多年,更曾傳出要賣(mài)給大陸企業(yè),與中芯國際的競爭不明顯。
反觀(guān)與中芯競爭最直接的就是聯(lián)電,聯(lián)電早早在大陸設立和艦科技,目前在廈門(mén)已有12寸晶圓廠(chǎng)。
報導提到,本來(lái)聯(lián)電希望將28納米制程導入大陸,但由于聯(lián)電14納米制程在中國臺灣地區尚未量產(chǎn),因此目前仍處于卡關(guān)階段。
今年中芯投資25億美元 聯(lián)電為22億美元
即使2017上半年聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)如期采用14納米FinFET技術(shù),廈門(mén)廠(chǎng)引進(jìn)的也只是28納米制程,與中芯國際是同樣水準,因此競爭力不見(jiàn)得會(huì )比中芯更有優(yōu)勢。
至于投資金額,今年聯(lián)電投資金額為22億美元,而中芯國際在上半年就已調升至25億美元,中芯投資金額首度超越聯(lián)電,加速了中芯的半導體技術(shù)進(jìn)程。
報導指出,若中芯的14納米FinFET技術(shù)如愿趕在2018年投產(chǎn),屆時(shí)相較聯(lián)電的競爭優(yōu)勢將更明顯。
聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)11月啟用 40納米制程良率99%
今年11月16日聯(lián)電宣布,于廈門(mén)設立的12寸合資晶圓廠(chǎng)聯(lián)芯集成電路(廈門(mén))舉行揭幕典禮,且該廠(chǎng)打破過(guò)去紀錄,自2015年3月動(dòng)工以來(lái),僅20個(gè)月即開(kāi)始量產(chǎn)客戶(hù)產(chǎn)品。
聯(lián)電指出,采用廈門(mén)廠(chǎng)40納米制程的通訊芯片,產(chǎn)品良率逾99%。
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