大陸存儲器產(chǎn)業(yè)崛起將改變全球產(chǎn)業(yè)版圖

　　南韓兩大半導體廠(chǎng)Samsung與SKHynix共組半導體希望基金，資金規模約2000億韓元(約55億元新臺幣)，顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場(chǎng)的競爭力與影響力。

　　不過(guò)半導體希望基金規模不大，預期重點(diǎn)不在建置新廠(chǎng)、擴張產(chǎn)能，而是鎖定技術(shù)研發(fā)，特別是DRAM、NANDFlash、行動(dòng)記憶體、新興記憶體等產(chǎn)品的研發(fā)。

　　南韓半導體國家隊的成軍，主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸官方投資的重要方向，企圖實(shí)現從無(wú)到有的局面。大陸記憶體產(chǎn)業(yè)奠定在當地需求快速增長(cháng)的基礎，以NANDFlash來(lái)說(shuō)，由于行動(dòng)裝置需求的快速增長(cháng)及伺服器、資料中心的大量建置，大陸市場(chǎng)NANDFlash消耗量占全球的比重將于2017年達3成以上，2020年將超過(guò)4成。

　　預料大陸記憶體市場(chǎng)當前發(fā)展的4大主力，將由長(cháng)江存儲(負責3DNANDFlash、DRAM生產(chǎn))、武漢新芯(負責NORFlash、邏輯代工)擔綱重任，而福建晉華存儲器項目、合肥市存儲器項目也將有所發(fā)揮。

　　在國家積體電路大基金的牽線(xiàn)下，2016年7月紫光集團宣布收購武漢新芯50%以上股權，成立長(cháng)江存儲技術(shù)公司，此舉將可避免重復投資，實(shí)現各方優(yōu)勢資源共享;而2016年底長(cháng)江存儲將興建首座12寸廠(chǎng)，在Spansion技術(shù)授權下，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3DNAND晶片，大陸終將順利擠進(jìn)NANDFlash領(lǐng)域。

　　而長(cháng)江存儲技術(shù)公司在DRAM領(lǐng)域的布局，則端視未來(lái)Mciron再整并完華亞科之后，是否與紫光建立策略聯(lián)盟，雙方將針對DRAM技術(shù)及產(chǎn)能進(jìn)行合作;另外武漢新芯未來(lái)將專(zhuān)職NORFlash和邏輯代工業(yè)務(wù)，旗下12寸廠(chǎng)月產(chǎn)能約3萬(wàn)片，其中有超過(guò)2萬(wàn)片是生產(chǎn)NORFlash晶片。

　　福建晉華存儲器項目則是由晉華投資370億元人民幣建設存儲晶片晶圓廠(chǎng)，并由聯(lián)電提供技術(shù)方案，預計2018年9月形成月產(chǎn)6萬(wàn)片12寸先進(jìn)制程內存晶圓的生產(chǎn)規模。而合肥市存儲器項目，將由合肥市政府出資460億元人民幣，兆基科技提供技術(shù)方案，第一步是設計物聯(lián)網(wǎng)科技所需的低耗電DRAM晶片，最快2017年下半年開(kāi)始投產(chǎn)。

　　大陸記憶體是集成電路4大產(chǎn)品類(lèi)型中自給率最低的部分，預期大陸記憶體市場(chǎng)的進(jìn)口替代空間龐大，而未來(lái)對岸記憶體勢力的崛起，勢必將改寫(xiě)全球記憶體版圖的分布，讓目前掌握絕大市占率的韓廠(chǎng)備感威脅。