臺積電10nm 聯(lián)發(fā)科搶頭香

　　晶圓代工龍頭臺積電已完成10奈米技術(shù)及產(chǎn)能認證，第四季率先進(jìn)入量產(chǎn)投片階段，首顆采用臺積電10奈米量產(chǎn)的晶片，正是聯(lián)發(fā)科即將在明年第一季末推出的旗艦級手機晶片Helio X30。

　　聯(lián)發(fā)科希望藉由臺積電在晶圓代工市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢來(lái)打造Helio X30，以對抗采用三星10奈米生產(chǎn)的高通Snapdragon 830。

　　臺 積電最新10奈米制程將在第四季開(kāi)始量產(chǎn)投片，聯(lián)發(fā)科強調，第一顆采用臺積電10奈米投產(chǎn)的晶片，就是新一代Helio X30手機晶片。對臺積電而言，10奈米已陸續獲得客戶(hù)新款晶片設計定案并陸續進(jìn)入量產(chǎn)，包括華為旗下海思的新款網(wǎng)路處理器及Kirin手機晶片、蘋(píng)果為 新一代iPad Pro打造的A10X處理器，以及為明年iPhone打造的A11應用處理器、及高通首款ARM架構伺服器處理器等。

　　臺積電10奈米領(lǐng)先三星進(jìn)入量產(chǎn)階段，明年第一季可開(kāi)始挹注營(yíng)收，聯(lián)發(fā)科的旗艦級手機晶片制程由28奈米直接導入10奈米，希望藉由臺積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，提前卡位高階手機晶片市場(chǎng)并蠶食高通的市占率。

　　聯(lián) 發(fā)科日前揭露有關(guān)新一代十核心Helio X30手機晶片細節，確認將采用2+4+4的三叢集運算架構，包括運算時(shí)脈高達2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配運算時(shí)脈達2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及運算時(shí)脈達2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。與上一代十核心Helio X20手機晶片相較，運算效能可提升43%，功耗上則可節省58%。

　　聯(lián)發(fā)科十核心 Helio X30手機晶片采用與蘋(píng)果合作的Imagination最新PowerVR 7XT系列繪圖核心，取代原本采用的ARM Mali繪圖核心，與Helio X20相較可提升2.4倍的顯示效能，并能支援最高達 WQXGA的2560x1600解析度，同時(shí)也內建二核影像處理器，可支援2,800萬(wàn)畫(huà)素的相機模組，記憶體部份則支援高達8GB LPDDR4X，以及eMMC5.1或UFS 2.1規格NAND Flash儲存元件。

　　相較聯(lián)發(fā)科目前量產(chǎn)出貨的Helio X20/X25等手機晶片支援LTE Cat.6規格，新一代Helio X30手機晶片支援LTE Cat.10規格，并且是全球全模的手機晶片，預期明年第一季可順利出貨。