TrendForce：2016年全球閃存高峰會(huì )中國廠(chǎng)商能見(jiàn)度快速攀升

　　閃存產(chǎn)業(yè)的指標性展會(huì )──2016年全球閃存高峰會(huì )(2016 Flash Memory Summit)甫落幕，TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)研究協(xié)理楊文得表示，大會(huì )連續兩年設置中國專(zhuān)場(chǎng)，并由華瀾微電子總裁駱建君博士擔任論壇主持人，顯示出中國市場(chǎng)已成國際關(guān)注焦點(diǎn)，中國閃存廠(chǎng)商的話(huà)語(yǔ)權與能見(jiàn)度正快速攀升。

　　由于行動(dòng)裝置需求的快速增長(cháng)及服務(wù)器、數據中心的大量建置，中國市場(chǎng)NAND Flash消耗量呈爆發(fā)式增長(cháng)。

　　DRAMeXchange預估2017年中國市場(chǎng)所消耗的NAND Flash量將占全球30%以上，2020年將占全球逾40%，成為中國大力進(jìn)軍NAND Flash產(chǎn)業(yè)，積極建立上中下游完整供應鏈的主要原因。

　　楊文得分析，3D-NAND Flash最晚將于2018年超越整體NAND Flash市場(chǎng)的一半，進(jìn)一步推升固態(tài)硬盤(pán)存儲應用的容量與市場(chǎng)規模，至2020年整體NAND Flash需求將維持每年40%的高增長(cháng)率，中國巨大的市場(chǎng)發(fā)展潛力勢必帶動(dòng)眾多NAND Flash廠(chǎng)商投入，未來(lái)中國廠(chǎng)商的布局更加火熱。

　　本屆快閃高峰會(huì )中國廠(chǎng)商的動(dòng)態(tài)可從存儲制造、主控芯片與應用市場(chǎng)兩大面向看出其強大的發(fā)展企圖：

　　存儲制造端：武漢新芯為目前中國NAND Flash制造端廠(chǎng)商中最具規模者，與國際大廠(chǎng)飛索半導體(Spansion)合作發(fā)展3D-NAND Flash，預計2018上半年量產(chǎn)第一世代的3D-NAND產(chǎn)品。今年七月武漢新芯正式與紫光集團成立長(cháng)江存儲科技公司，將有效整合中國在NAND Flash制造端發(fā)展能量。

　　楊文得表示，為拉近與國際存儲大廠(chǎng)的距離，中國產(chǎn)學(xué)界代表也聯(lián)合展示閃存FTL技術(shù)及復旦大學(xué)的RRAM商業(yè)化嘗試，可見(jiàn)中國在閃存布局有長(cháng)遠規劃。

　　主控芯片與應用市場(chǎng)：中國主控芯片廠(chǎng)如華瀾微、憶恒創(chuàng )源與華為等一線(xiàn)大廠(chǎng)皆參與盛會(huì )，看準固態(tài)硬盤(pán)未來(lái)五年快速成長(cháng)的商機，各廠(chǎng)正強化在固態(tài)硬盤(pán)整體存儲設備及PCIe高速接口的研發(fā)能量。

　　此外，為實(shí)現建立自主產(chǎn)業(yè)鏈的目標，華瀾微與華為等廠(chǎng)商也展示自主開(kāi)發(fā)的IP與基礎性結構研究。

　　楊文得進(jìn)一步表示，近年來(lái)中國主控芯片業(yè)者以自主開(kāi)發(fā)或并購等方式獲取關(guān)鍵IP技術(shù)的進(jìn)展速度加快，預期兩年內將有更多NAND Flash主控芯片廠(chǎng)跨國合作與并購。